微电子技术基础第一章祥解.pptVIP

* 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * * 西南科技大学 * 三、器件与集成电路制造工艺简介 硅外延平面晶体管制造工艺 3DK3 —NPN型开关管 * 西南科技大学 * 工艺流程--前工序 ⑴衬底制备（ρ=10-3Ω·cm，N+,400μm）→ ⑵外延（N, ρ=0.3-0.5Ω·cm，1-10μm）→ ⑶基区氧化/一次氧化（光刻掩蔽膜/钝化表面， 500-600nm）→ ⑷基区光刻（刻出基区扩散窗口）→ ⑸硼预淀积（扩散足够的B杂质，N型）→ ⑹减薄蒸金（减到200-250μm；减薄：避免背面B扩 散到内部/利于划片；蒸金：金扩散杂质源，）→ * 西南科技大学 * 工艺流程--前工序 ⑺硼再分布（再分布/二次氧化/金扩散。再分布：控制 结深与表面浓度；金扩散:减少集电区少子寿命，缩 短开关管底存储时间，提高开关速度。）→ ⑻刻发射区/二次光刻（刻出发射区窗口）→ ⑼磷预淀积（形成发射区：β=30-40，BVceo8V, BVcbo≈7V。）→ ⑽磷再分布（再分布/三次氧化；再分布：达到设计要 求，如β=50-60；三次氧化：光刻引线孔的掩蔽膜， 200-300nm。）→ * 西南科技大学 * 工艺流程--前工序 ⑾刻引线孔/三次光刻（刻出基区、发射区的电极引线接触窗口。）→ ⑿蒸铝（真空蒸高纯Al）→ ⒀铝反刻/四次光刻（刻蚀掉电极引线以外的铝层，用三次光刻的反版）→ ⒁合金（550-580℃，形成Al-Si欧姆接触。）→ * 西南科技大学 * 工艺流程--前工序 ⒂初测（测β、BV，不合格作记号。）→ ⒃划片（用金刚刀，激光）→ ⒄烧结（用银浆将管芯固定在管壳底座上，使集电极与底座金属板及集电极管脚相连，并形成欧姆接触。）→ ⒅键合（用金丝/硅铝丝将发射极、基极与底座上相应的管脚相连接。）→ * 西南科技大学 * 工艺流程--后工序 ⒆中测（检查划片、压片、烧结、键合工序的质量 → ⒇封帽（管壳的材料、形状及质量对性能影响极 大）→ （21）工艺筛选（高温老化、功率老化、高低温循 环实验）→ （22）总测（全面测试、等级分类）→（23）打印 包装、入库。 * 西南科技大学 * 辅助工序： 超净厂房技术 超纯水、高纯气体制备技术 光刻掩膜版制备技术 材料准备技术 * 西南科技大学 * PN结隔离双极型集成电路制造工艺 工艺流程 ⑴衬底制备（ρ=8-13Ω·cm，P型,（111）晶面，300 400μm）→ ⑵埋层氧化（埋层扩散的掩蔽膜，1-1.5μm；埋层作用 降低集电极串联电阻）→ ⑶埋层光刻（刻埋层扩散区窗口）→ ⑷埋层扩散（N+,R□≤20Ω/□）→ ⑸外延（N型Si，ρ=0.3-0.5Ω·cm，8-10μm）→ ⑹隔离氧化（隔离扩散的掩蔽膜，0.6-1μm）→ * 西南科技大学 * 工艺流程 ⑺隔离光刻（刻隔离墙扩散窗口）→ ⑻隔离扩散（形成P+型隔离墙：P+扩散要穿透外延层 与P-Si衬底连通，将N型外延层分割成若 干独立得“岛”；两步扩散）→ (9)背面蒸金（真空蒸高纯金）→ (10)基区氧化（基区扩散掩蔽膜：0.5-0.8μm；金扩散：提高开关速度，消除从P型扩散区到衬底 的P-N-P晶体管效应）→ * 西南科技大学 * 工艺流程 ⑾基区光刻（刻出基区及各扩散电阻的窗口）→ ⑿基区扩散（预淀积硼；硼再分布/氧化，氧化：发射区磷扩散的掩蔽膜，0.5-0.6μm；）→ ⒀发射区光刻（刻出发射区、集电区窗口）→ ⒁发射区扩散（磷预淀积；再分布/三次氧化）→ ⒂刻引线孔（刻出电极引线欧姆接触窗口）→ ⒃蒸铝（真空蒸高纯Al）→ ⒄铝反刻（刻蚀掉电极引线以外的铝层）→ * 西南科技大学 * 工艺流程 （18）初测→ （19）划片→ （20）烧结→ （21）键合→ （22）中测→ （23）封帽→ （24）工艺筛选→ （25）总测→ （26）打印、包装、入库。 * 西南科技大学 * 集成电路的特有工艺 a．隔离扩散 目的：形成穿透外延层的P+（N+）隔离墙,将外延层分割成若干彼此独立的隔离“岛”。电路中相互需要隔离的晶体管和电阻等元件分别做在不同的隔离岛上。 工作时：P+接低电压（接地），N型隔离岛接高电压。 元件间的隔离：两个背