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- 2018-05-20 发布于湖北
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LDMOS的参数测试 一、LDMOS器件电学特性在线测试 采用吉时利直流参数测试系统并配合高压测试探针对制备的LDMOS器件进行在片测试。利用光学显微镜观察器件的具体结构,并用探针给相应的电极加电,只使用探针向器件栅、漏极加电,而源极直接通过衬底与金属吸盘接地。需要测试的电学特性参数有: 1、阈值电压测试 2、击穿电压测试 3、输出特性测试 1、阈值电压测试 测试的方式:固定器件漏源电压为某一值,扫描栅源电压Vgs,得到Ids-Vgs曲线。 设置Ids的一个初始小电流,当增加Vgs扫描得到相同的电流时,此时的Vgs则认定为器件的阈值电压Vt。 当Vgs大于Vt时,Ids迅速增大,则说明器件开启特性良好。 2、击穿电压测试 测试的方式:在栅压为零的条件下,扫描漏源电压Vds,提取Ids-Vds曲线。 设置Ids的一个初始小电流,当增加Vds扫描得到相同的电流时,此时的Vds则认定为器件的击穿电压。 3、输出特性测试 测试的方式:在已知Vt的前提下,保证Vgs大于Vt,以0.2V为步长,开始扫描漏源电压Vds,提取不同Vgs下的Ids-Vds曲线。(例如:Vt为2.6V,可以将栅压从2.8增长到3.8V,步长为0.2V,扫描Vds。) 当Vds很小时,Ids随Vds的增加而增大,表现出电阻特性;当Vds较大时,Ids随Vds的增加,上升速率减小,曲线弯曲并趋于平坦,表现为电流饱和现象;
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