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下一代光源 超UV(EUV:extreme ultraviolet)光刻 X-Ray光刻 电子束(E-beam)光刻 离子束(lon-beam) 曝光方法 由于曝光光源的不同,曝光分为光学曝光,X射线曝光,电子束曝光和离子束曝光 在光学曝光中,由于掩膜版的位置不同,又分为接触式曝光,接近式曝光和投影式曝光 曝光方式: 一类是光源发出的光线通过掩膜版把图案转移到光刻胶膜上,如投影式曝光 另一类是把光源聚集成很细的射束,直接在光刻胶上扫描出图案(可以不用掩膜版),如电子束曝光 光学曝光方式: 接触式曝光 Contact printing 光学接近式曝光 Optical proximity printing 扫描投影曝光 Scanning projection printing 接触式曝光 Contact printing 由于掩膜版与硅片相接触磨损,使得掩膜版的寿命降低-Fresnel diffraction 菲涅尔衍射 Mask Image:Resist Image=1:1,设备简单,分辨率高,可达到0.5μm。主要用于SSI和MSI电路中 必须加压力,会使胶膜剥离;易玷污,掩膜版易损坏,成品率下降。目前在生产中很少使用 由于光刻胶顶层平面不平,所以该曝光方式中间隔并不严格为0 接近式曝光- proximity printing 最小宽带:Wm=(dλ)? d:间隔; λ:光源波长 分辨率取决于间隙的大小,一般分辨率较差,为2-4μm,d=10μm,I-line(365nm)→W≈2μm 优点:接近式曝光是以牺牲分辨率来延长了掩膜版的寿命,掩膜寿命长(刻提高10倍以上),图形缺陷少。 缺点:分辨率低,图形模糊,操作比较复杂 投影式曝光—projection printing 现在的工艺普遍采用投影式光刻机,投影式光刻具有下列特点 利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法 避免了掩膜版硅片表面的摩擦,延长了掩膜版的寿命 掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多,克服了小图形制版的困难 消除了由于掩膜版图形线宽过小而产生的光衍射效应,以及掩膜版与硅片表面接触不平整而产生的光散射现象。 为了提高分辨率,减少图形畸变,一次曝光的象场较小,采用扫描式曝光。 Fraunhofer diffraction 夫琅禾费衍射 投影式曝光虽有很多优点,但由于光刻设备中许多镜头需要特制设备复杂 光学曝光的各种曝光方式及其利弊 接触式 优点:设备简单,分辨率高。 缺点:掩膜版与晶片易损伤,成品率低。 非接触式 接近式 优点:掩膜版寿命长,成本低。 缺点:衍射效应严重,影响分辨率。 投影式 全反射 折射 优点:无像差,无驻波效应影响。 缺点:光学系统复杂,对准困难。 优点:对片子平整度要求低,可采用较 大孔径的透镜 以提高分辨率,掩膜制造方便。 缺点:光学系统复杂,对准困难。 接触式曝光 掩膜版与光刻胶紧密接触 优点:曝光对比度高 缺点:掩膜与光刻胶的接触会造成二次缺陷 接近式曝光 掩膜版与光刻胶之间有10-50μm的间距 优点:掩膜与光刻胶之间不接触,缺陷减少 缺点:掩膜和光刻胶之间有缝隙,光的衍射造成分辨率下降 投影式曝光 掩膜版与光刻胶之间有投影器(物镜) 优点:高分辨率,低缺陷,对准精度高,曝光图形可缩小 缺点:光学系统较复杂 主要光学曝光系统比较 人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。 * 4.4 向衬底材料的图形转换——光刻 图形转换:将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体晶片上 图形转换:光刻技术 光刻工艺流程 典型的光学光刻工艺通常包括一下步骤:衬底准备、涂胶、曝光前烘干(前烘)、曝光、显影、显影后烘干(坚膜)以及去胶。 光刻是IC制造中最为重要的一道工艺 硅片制造工艺中,光刻占所有成本的35% 通常可用光刻次数及所需掩膜的个数来表示某生产工艺的难易程度。 一个典型的硅集成电路工艺包括15—20掩膜版 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小, 也与光刻技术的进一步发展有密切关系。 通常人们用特征尺寸来评价集成电路生产线的技术水平。 所谓特征尺寸(CD:characteristic dimension)是指设计的多晶硅栅长,它标志了器件工艺的总体水平,是设计规则的主要部分。 通常我们所说的0.13μm,0.09
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