光刻及刻蚀资料讲解.ppt

下一代光源 超UV（EUV：extreme ultraviolet）光刻 X-Ray光刻 电子束（E-beam）光刻 离子束（lon-beam） 曝光方法 由于曝光光源的不同，曝光分为光学曝光，X射线曝光，电子束曝光和离子束曝光 在光学曝光中，由于掩膜版的位置不同，又分为接触式曝光，接近式曝光和投影式曝光 曝光方式： 一类是光源发出的光线通过掩膜版把图案转移到光刻胶膜上，如投影式曝光 另一类是把光源聚集成很细的射束，直接在光刻胶上扫描出图案（可以不用掩膜版），如电子束曝光 光学曝光方式: 接触式曝光 Contact printing 光学接近式曝光 Optical proximity printing 扫描投影曝光 Scanning projection printing 接触式曝光 Contact printing 由于掩膜版与硅片相接触磨损，使得掩膜版的寿命降低-Fresnel diffraction 菲涅尔衍射 Mask Image:Resist Image=1:1，设备简单，分辨率高，可达到0.5μm。主要用于SSI和MSI电路中 必须加压力，会使胶膜剥离；易玷污，掩膜版易损坏，成品率下降。目前在生产中很少使用 由于光刻胶顶层平面不平，所以该曝光方式中间隔并不严格为0 接近式曝光- proximity printing 最小宽带：Wm=（dλ）? d:间隔； λ：光源波长 分辨率取决于间隙的大小，一般分辨率较差，为2-4μm，d=10μm，I-line（365nm）→W≈2μm 优点：接近式曝光是以牺牲分辨率来延长了掩膜版的寿命，掩膜寿命长（刻提高10倍以上），图形缺陷少。 缺点：分辨率低，图形模糊，操作比较复杂 投影式曝光—projection printing 现在的工艺普遍采用投影式光刻机，投影式光刻具有下列特点 利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法 避免了掩膜版硅片表面的摩擦，延长了掩膜版的寿命 掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多，克服了小图形制版的困难 消除了由于掩膜版图形线宽过小而产生的光衍射效应，以及掩膜版与硅片表面接触不平整而产生的光散射现象。 为了提高分辨率，减少图形畸变，一次曝光的象场较小，采用扫描式曝光。 Fraunhofer diffraction 夫琅禾费衍射 投影式曝光虽有很多优点，但由于光刻设备中许多镜头需要特制设备复杂 光学曝光的各种曝光方式及其利弊 接触式 优点：设备简单，分辨率高。 缺点：掩膜版与晶片易损伤，成品率低。 非接触式 接近式 优点：掩膜版寿命长，成本低。 缺点：衍射效应严重，影响分辨率。 投影式 全反射 折射 优点：无像差，无驻波效应影响。 缺点：光学系统复杂，对准困难。 优点：对片子平整度要求低，可采用较 大孔径的透镜 以提高分辨率，掩膜制造方便。 缺点：光学系统复杂，对准困难。 接触式曝光 掩膜版与光刻胶紧密接触 优点：曝光对比度高 缺点：掩膜与光刻胶的接触会造成二次缺陷 接近式曝光 掩膜版与光刻胶之间有10-50μm的间距 优点：掩膜与光刻胶之间不接触，缺陷减少 缺点：掩膜和光刻胶之间有缝隙，光的衍射造成分辨率下降 投影式曝光 掩膜版与光刻胶之间有投影器（物镜） 优点：高分辨率，低缺陷，对准精度高，曝光图形可缩小 缺点：光学系统较复杂 主要光学曝光系统比较 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 4.4 向衬底材料的图形转换——光刻 图形转换：将设计在掩膜版（类似于照相底片）上的图形转移到半导体晶片上 图形转换：光刻技术 光刻工艺流程 典型的光学光刻工艺通常包括一下步骤：衬底准备、涂胶、曝光前烘干（前烘）、曝光、显影、显影后烘干（坚膜）以及去胶。 光刻是IC制造中最为重要的一道工艺 硅片制造工艺中，光刻占所有成本的35% 通常可用光刻次数及所需掩膜的个数来表示某生产工艺的难易程度。 一个典型的硅集成电路工艺包括15—20掩膜版 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小， 也与光刻技术的进一步发展有密切关系。 通常人们用特征尺寸来评价集成电路生产线的技术水平。 所谓特征尺寸（CD:characteristic dimension）是指设计的多晶硅栅长，它标志了器件工艺的总体水平，是设计规则的主要部分。 通常我们所说的0.13μm，0.09