南航考研数电课件(N)资料讲解.ppt

从读写方式的角度分：只读存储器（ROM）、随机访问存储器（RAM）。 RAM (Random Access Memory)可方便地读写数据，但当电源去掉后所存的信息立即消失。目前常用的RAM有SRAM（静态RAM）、DRAM（动态RAM）等。 ROM (Read-Only Memory)从字面意思上看只可读，但现在的ROM芯片均可写。 ＲＯＭ的分类 ROM 按信息的写入方式分为： 固定ROM：在工厂制作时就将需要存储的信息用电路结构固定下来，使用时无法再更改。 　例如：早期的主板BIOS芯片采用的是固定ROM，它的Firmware 代码是在芯片生产过程中固化的，并且 永远无法修改。（Firmware是软件，但与普通软件完全不同，它是固化在集成电路内部的程序代码，集成电路的功能就是由这些程序决定的。） 可编程ROM（简称PROM）：由用户按自己的需要写入信息，但只能写入一次，一经写入就不能修改。 　例如：一般显卡上的ROM上多采用这 种PROM，它的价格相对较低。 可擦可编程ROM（简称EPROM）：由用户写入信息后若需要改动时，还可以擦去重写。它具有较大的使用灵活性，但这种改写需使用专门的擦写设备，不可在线改写，而且费时，所以实际使用时常只读不写。 例如：带窗口的EPROM芯片，这种EPROM 可以用紫外线 来擦除原有的Firmware，并用 专用的读写器更新它的Firmware。 可电改写ROM（简称EEPROM）：由用户写入信息后若需要改动时可在线改写，无须专门的擦写设备。 例如：现在的主板BIOS，它是一种在一定的电压、电流条件 下，可对其Firmware进行更新的集成电路块。 　 快闪ROM（Flash ROM）: 它采 用以数据块为单位的电改写方式， 具有很高的写入速度。 　 存储器的内部结构 随机访问存储器（RAM） 存储矩阵 存储矩阵是由基本存储单元（可存储n位二进制数据）构成的存储列。 存储器的字数 能存入一“0”或一个“1”（即1bit信息），称之一个记忆单元。由n个记忆单元组成的一条信息叫一个“字”。存储器的字数反映了存储器的存储信息的多少。 存储器的位数 存储器每个“字”所具有的二进制位数称为存储器的位数。 习惯上称之为字长。 “字数×位数”称为存储器的存储容量 例：4×4RAM 内部结构 逻辑符号 寻址－－确定待访问的单元的过程。 二元寻址的16×1 R A M 读/写控制电路示意图 读出 1 0 写入 0 0 隔离 × 1 操作 R/W CS 静态记忆单元示意图 内部结构 RAM中的记忆单元分类：静态记忆单元；动态记忆单元。 静态RAM：由静态记忆单元构成，简称为SRAM。静态记忆单元为双稳态电路，无触发时状态不变。特点：速度快，但容量小。 静态RAM读/写操作时序图 常用的静态RAM芯片 2114的逻辑符号及框图 动态记忆单元示意图 动态记忆单元 内部电路图 动态RAM： 记忆单元为MOS管上的极间电容，电容上有一定的电荷时为“1”，否则为“0”。无触发时，电路有漏电流，信息会丢失，因此要不断刷新。动态RAM特点： 容量大，但速度慢。 4K×1动态RAM框图 动态RAM读写及刷新操作时序图 常用的动态RAM芯片 RAM的扩展 RAM的扩展 RAM的扩展 快闪存储器（ Flash Memory ） 是一种非易失性存储器，即切断供电电源之后仍然保持所有数据。它既具有半导体存储器读取速度快、存储容量大的优点，又克服了RAM的易失性。其存储单元的尺寸比DRAM的更小且存储信息容易改写，价格相对便宜。 快闪存储器的存储单元 快闪存储器读出矩阵 NM29N16快闪存储器的存储结构图 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * §4-3-4 74192 双时钟模10加/减计数器 74192的标准逻辑符号 74192的传统逻辑符号 逻辑符号含义 74192的特性 异步复位、异步预置的双时钟模10加/减计数器 74192的功能表 74192工作波形 例4：74192构成的模6计数器的设计（用复位端） 用异步清零端时，用N状态返回清零。 例5：74192构成的模6计数器的设计（用预置端） 用异步置数端时，用最大的状态＋1返回置数，数据输入端为最小状态值。 4.