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模拟电子技术基础  太原理工大学 韩晓明（讲师） 第一章 常用半导体器件 1.1半导体基础知识 本征半导体 杂质半导体：N型半导体 P型半导体 电子、空穴、正、负离子 PN结：单向导电性 伏安特性 1.2半导体二极管 类似于PN结的伏安特性 开启电压Uon 硅：0.5V 锗：0.1V 导通电压 硅：0.7V 锗：0.2V 主要参数 1)最大整流电流:最大正向平均电流 2)最大反向工作电压:通常取击穿电压的一半 应用 1)限幅 2)整流 3)计算 4)门电路 1.2.5稳压二极管 与普通二极管的区别 主要参数: 1、稳定电压 2、稳定电流 3、额定功耗 4、动态电阻 1.3双极型晶体管 1.3.1三极管的结构和类型 1、结构 2、作用： 放大、开关 3、结构上满足：a、发射区掺杂浓度集电区掺杂浓度、集电区掺杂浓度基区掺杂浓度 b、基区必须很薄，一般只有几微米 1.3.2电流放大作用 1、条件： 内部 外部：发射结正偏， 集电结反偏 NPN：VcVbVe PNP：VcVbVe 共射放大电路 2、放大原理（以NPN为例） 1.3.3三极管的特性曲线(NPN) 1、输入特性曲线 2、输出特性 （1）截止区 （2）放大区 （3）饱和区:集电结正偏 规定：Vce=Vbe时临界饱和，此时 第二章 基本放大电路 2.1放大的概念及主要指标 1、放大电路的功能： 2、主要指标： a、放大倍数（4个）（有效值） b、输入电阻 c、输出电阻 d、通频带 三、电路分析 (一)、静态分析（求Q） 方法一、近似估算法 方法二、图解法 (二)动态分析(求AV、Ri、Ro) 方法一、图解法 方法二、计算分析法 三种接法的比较 2.4静态工作点的稳定 第三章 多级放大电路 3.1耦合方式 1、直接耦合 缺点：设计难、零点漂移 优点：低频特性好，易于集成 2、阻容耦合 缺点：低频特性差，不易集成 优点：设计简单 3、变压器耦合 缺点：低频差,不易集成,笨重 优点：实现阻抗变换 4、光电耦合 缺点：CTR值比电流放大系数小 优点：避免电干扰 3.2多级放大电路的动态分析 3.3直接耦合放大电路 零点漂移现象： 输入电压为零而输出电压不为零且缓慢变化的现象。 原因：a、温度变化 （最主要） b、电源电压的变化 c、元件的老化 阻容耦合电路零漂不严重。 衡量零漂的指标 差分放大电路 长尾式差分放大电路 差动: 只有当两个输入端 有差别时，输出才 有变动。 静态分析：法一、常规法 法二、简化法 差模信号 共模信号 动态分析 差模输入： RL的处理 Re的处理 共模输入： * * 将微弱的信号(U、I、P)不失真地放大到所需的数值，从而使电子设备的终端执行元件(继电器、仪表或扬声器)有所动作或显示。 项目 共射放大电路 共集放大电路 共基放大电路 放大倍数 负 很大 近似等于1 很大 放大的信号 电压、电流 电流 电压 输入电阻 居中 最大 最小 输出电阻 较大 最小 较大 频带 较窄 较窄 很宽