chap光刻与刻蚀工艺资料讲解.ppt

* * 在X射线曝光中影响分辨率的主要原因？ ①??? 当线宽小于20A时，衍射对分辨率的影响明显。 ②??? 当图形尺寸小于1μm而大于20A时，引起图 形即便和影响分辨率的主要因素是半阴影和几何畸变 在X射线曝光中对射线源的要求有？ ①??? X射线需要很高的辐射功率（要求功率大于0.1W/cmˇ2,这样才能使X射线曝光时间小于60秒）。 ②??? X射线源的尺寸小于1mm（X射线的尺寸直接影响到半阴影和几何形变） ③??? X射线的能量要求在1~10keV（这样可以使X射线对掩模跋衬底中的透光区有很好的透过率）。 ④??? 使用平行光源（X射线难以聚焦，光源发射的X射线决定了X射线到达硅片的形式）。 * X射线源有哪些？ ①??? X射线点光源：激光等离子体源和高密度等离子体源。 ②??? 同步辐射X射线源：利用高能电子在磁场中运动时发出的电子辐射，从辐射中引出特定波长范围的高强度、高准直性的X射线作为曝光。 为何波段选择在2-40?？ ①??? 因为大多数固体材料对波长小于2Α的射线都很少，如果是薄膜材料几乎是透明的，当X射线的波长大于40A时，大多数材料对X射线吸收又都很强，因而不能制成具有高反差的掩模版。 ②??? 目前没有理想的材料可以在膜厚比较厚时又能对X射线完全透明；同时也没有理想的材料在膜厚薄时又能完全吸收X射线。 * 8.9 电子束曝光 电子束