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3. 3只读存储器(ROM) ROM 分类 掩膜式ROM、一次性写入的PROM、可擦写的EPROM、电擦写的EEPROM EPROM基本存储电路 紫外线照射使得浮空晶栅的电贺形成光电流泄漏，使电路恢复起始状态，将写入的‘0’擦去。重写后可以继续使用。 3. 3只读存储器(ROM) ROM EPROM实例2716 3. 3只读存储器(ROM) ROM 2716读周期 3. 2只读存储器(ROM) ROM 2716后备周期 减小功耗，在PD/PGM端输入高电平使EPROM输出端高阻。如果将CS与PD/PGM连在一起，那么没有访问时就出于后备状态。 3. 3只读存储器(ROM) 闪速存储器 特点 是一种全新的非易失性的读／写半导体存储器 闪速存储器的存储元电路是在CMOS单晶体管EPROM存储元基础上制造的，因此它具有非易失性。不同的是，EPROM通过紫外光照射进行擦除，而闪速存储器则是在EPROM沟道氧化物处理工艺中特别实施了电擦除和编程次数能力的设计。 固有的非易失性：闪速存储器具有可靠的非易失性，它是一种理想的存储器。 廉价的高密度：相同存储器容量的闪速存储器和DRAM相比，位成本基本相近，但闪速存储器节省了后援存储器（磁盘）的额外存储器和DRAM费用和空间。 可直接执行：闪速存储器直接与CPU连接，使CPU实现了无等待时间，用户可充分享受程序和文件的高速存取