BDI型甚长波IRFPA读出电路的研究和设计.pdfVIP

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2016-05-08 发布于安徽
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BDI型甚长波IRFPA读出电路的研究和设计.pdf

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43 卷 6 期红外与激光工程 2014 年6 月 Vol.43 No.6 Infrared and Laser Engineering Jun.2014 BDI 型甚长波 IRFPA 读出电路研究与设计 1,2 1 1 1 1 郝立超，陈洪雷，李辉，黄爱波，丁瑞军 (1. 中国科学院海技术物理研究所国防创新实验室，海 200083 ； 2. 中国科学院大学，北京 100049) 摘要针对甚长波红外(VLWIR)探测器动态结阻抗过低、暗电流较大，且工作在高背景环境下等特点，设计了一种具有记忆功能背景抑制的32伊32 甚长波红外焦平面(IRFPA)读出电路。该电路采用基于高增益负反馈运的缓冲直接注入级(BDI)结构作为输入级，大幅降低了输入阻抗，提高了注入效率，并使探测器处于稳定偏压状态。同时，该电路采用具有记忆功能的背景抑制电路，有效提高了积分时间和红外焦平面。基于完成的信噪比(SNR)，改善了动态范围和对比度 HHNEC CZ6H0.35 滋m 1P4M 标准CMOS 工艺，了电：，输出范围大于路的流片制造。实测结果表明 50K 低温下电路功能正常 2V，读出速率达到2.5 MHz，RMS 噪声小于0. 3 mV，线性度优于99%，功耗小于100 mW。；；；；关键词甚长波红外焦平面读出电路缓冲注入级背景抑制高增益运中图分类号 TN215 文献标志码 A 文章编号 1007-2276 (2014) 06-1782-06 Improved readout circuit with BDI structure for VLW IR FPAs 1,2 1 1 1 1 Hao Lichao , Chen Honglei , Li Hui , Huang Aibo , Ding Ruij un (1. Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors , Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences , Shanghai 200083, China; 2. Un