大面积MCP-PMTK2CsSb光电阴极理论和测控技术的研究.pdfVIP

〈综述与评论〉 大面积 MCP-PMT K CsSb 光电阴极理论与测控技术研究 2 常本康 （南京理工大学 理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094 ） 摘要：针对 SBA/UBA 光电阴极和中国科学院高能物理研究所 380～510 nm 转换波长的闪烁体，分 别从 K CsSb 光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。 2 一性原理计算结果表明，双碱光电阴极 K1.75CsSb1.25 是直接禁带半导体，能带弯曲最大，功函数最 小；中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在 380～510 nm ，可以确定双碱阴极透射式工 作范围在 2.92～3.26 eV ，反射式工作范围在 2.43～2.92 eV；针对球形光电倍增管结构，提出了透射 式与反射式阴极量子效率最大化方案和K1.75CsSb1.25 阴极6 点监控制备方法，给出了测试方法。 关键词：光电倍增器；光电阴极；第一性原理；能带结构；制备工艺 中图分类号：O462.3 文献标识 ：A 文章编号：1001-8891(2013)08 Theory and Control Technology of Large Area MCP-PMT K CsSb Photocathode 2 CHANG Ben-kang (School of electronic engineering and optoelectronic technology, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) Abstract ：K CsSb photocathode were studied from first principle, structure optimization, as well as the 2 material growth mechanism and control technology etc., for SBA/UBA photocathode and scintillator of 380 -510 nm wavelength conversion of High Energy Physics Institute of the Chinese Academy of Sciences. The first principle calculation results show that the double alkali photocathode K1.75CsSb1.25 is a direct band gap semiconductor, has maximum band bending and minimum work function. According to the spectral range of emission