商用Flash器件在空间应用中温变规律的实验的研究.pdfVIP

第44卷第5期 红外与激光工程 2015年5月 Vol.44No.5 InfraredandLaserEngineering May2015 商用Flash器件在空间应用中温变规律的实验研究 王佑贞，房 亮，刘彦民，乔旷怡，郭 鹏 (中国科学院空间应用工程与技术中心，北京 100094) 摘 要院分析了工业级Flash存储器件应用于空间电子产品时应考虑的温变规律和机理，并在-35耀 105益的温度条件下对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器件K9伊伊G08U伊D 系列进行了温循试 验和高温步进应力试验，以评估其空间应用的可行性。试验结果显示：这一系列存储器在温度变化的 情况下，电性能参数会发生规律性变化，其中页编程时间随温度的升高线性增大，105益比-35益时页 编程时间增加15%；块擦除时间在低温条件下明显增大。在-35益低温条件下，块擦除时间比常温条 件高出72%，在 105益高温条件下，块擦除时间比常温条件高出10%。试验表明Flash K9伊伊G08U伊D 系列存储器能够在-35耀105益的环境下工作，器件可正常擦写读，坏块没有增加。页编程时间随着温 度的增加而增加，但是，仍然在器件的最大页编程时间之内。但是，在低温环境下，擦除时间会明显增 加，在空间应用时需为擦除操作预留足够的时间。 关键词院空间电子； Flash存储器； 温变规律； 实验Flash信号 中图分类号院TP333 文献标志码院A 文章编号院1007-2276(2015)05-1539-05 Experimental research on temperature variation law of commercial Flash devices for space application Wang Youzhen, Fang Liang, Liu Yanmin, Qiao Kuangyi, Guo Peng (Technology and Engineering Center for Space Utilization, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100094, China) Abstract: The temperature variation law and mechanism of commercial Flash memory devices applied in space electronic products were analyzed. The temperature cycling test and high temperature step stress test of highly scaled Flash memories K9 伊伊G08U 伊D series of Samsung were carried out at the temperature -35-+105 益 to evaluate the feasibility of its space application. The results show that the page programming time and block erasing time of this series of memory changes with the temperature. The page programming time increase by 15% from -35益 to 105益. Block erasing time increase by 72% from normal temperature to -35 益. Block erasing time increase by 10% from normal temperature to 105益. The experiment shows K9伊伊G08U伊D ser