半导体前道制造工艺流程摘要.pptVIP

Best Wish For You * （Chemical Vapor eposition；） * CVD的反應机制主要可分為五個步驟：(1)在沈積室中導入气體，并混以稀釋用的惰性气體构成「主气流（mainstream）」；(2)主气流中反應气體原子或分子通過邊界層到達基板表面；(3)反應气體原子被「吸附（adsorbed）」在基板上；(4)吸附原子（adatoms）在基板表面移動，并且產生化學反應；(5)气態生成物被「吸解（desorbed）」，往外擴散通過邊界層進入主气流中，并由沈積室中被去除。 * atmospheric pressure CVD； low pressure CVD； plasma enhanced CVD； * Physical Vapor Deposition： * 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。2.适合高频使用。3.操作方便，可靠性高。4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 * Intel系列CPU中，80486和Pentium、Pentium Pro均采用这种封装形式。 * 1 晶片切割（Die Saw） 晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之 晶粒（die）切割分離。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗