Sb在Au单晶电极上结构敏感吸附行为的比较.pdfVIP

第 11卷 　第 2期 电化学 Vol. 11　No. 2 2005年 5月 EL ECTROCH EM ISTRY M ay 2005 文章编号 : 1006347 1 (2005) 020 14006 Sb在 Au单晶电极上结构敏感吸附行为的比较 颜佳伟 ,商旺火 ,吴 　琼 ,毛秉伟 (固体表面物理化学国家重点实验室 ,厦门大学化学系 ,福建 厦门 36 1005) ( ) ( ) ( ) 本文研究比较 Sb III 在 A u 111 和 A u 100 电极上的不可逆吸附与还原和 Sb 的欠电位沉积行为 摘要 : 　 及其相互影响. 现场扫描隧道显微镜和循环伏安法测试结果表明 ,基底表面结构不仅影响阴离子的吸附行为 ( ) + 和 Sb 的吸附结构 ,而且还影响其 自身结构的稳定性. 在 A u 111 表面 ,致密无序膜的 SbO 不可逆吸附层还原 ( ) 2 - ( ) 后基本保持原有的无序结构 ;而在 A u 100 表面 , 由于 SO4 的共吸附 ,不可逆吸附物种还原后形成 2 ×2 有 ( ) 序结构. 在 Au 111 表面上 , Sb 的欠电位沉积伴随显著的合金化 ,且因表面有序结构的破坏而形成沟道状二 ( ) ( ) 维结构 ;但对 A u 100 表面 , 由于其晶格和尺寸与稳定的 A uSb 合金之 100 面有较好的匹配性 ,使 A u 与 Sb 2 得以形成有序的表面化合物 ,从而避免了欠电位沉积过程中的表面合金化问题 ,进一步体现基底结构的敏感 性和重要性. 关键词 : 　Sb; A u ( 111) ; A u ( 100) ;不可逆吸附;欠电位沉积 ;扫描隧道显微镜 O 646　　　　　　　　 A 中图分类号 : 　 文献标识码 : 　 金属欠 电位 沉 积 ( underpoten tial depo sition , 原 [ 7～9 ]和 /或欠电位沉积 ,是一个较为复杂的体系. ) ( ) U PD 和不可逆吸附 irreversib le ad sorp tion , IRA 研究和比较 Sb在不同晶面指数的单晶电极上的电 是用异种金属原子修饰金属表面的两种电化学方 化学吸附行为 ,可以关联基底表面结构与 Sb 吸附 法 ,都已有广泛深入的研究[ 1～3 ] . 金属欠电位沉积 物种的相互作用 , 以利于深入理解欠电位沉积与不 可使金属离子在其平衡电势以正的条件下于异种