东北大学单片机课件第十章解析.ppt

例1. 8K RAM ,8K ROM, 4个 I/O接口 10.5应用实例——系统扩展 例2.16K ROM, 8KRAM, 8个I/O器件 此题的难度在于:空余地址线减少,设备增多.用多级译码法. ＲOM的空间计算： A15 A14 A13 A12 A11 …… A1 A0 0 0 0 0 0 …… 0 0 首地址0000H 0 0 1 1 1 …… 1 1 末地址3FFFH 所以地址空间为 0000H-3FFFH, 共16K字节 RAM空间计算: 0 1 X 0 0 …… 0 0 首地址4000H 0 1 X 1 1 …… 1 1 末地址5FFFH 所以地址空间为:4000H-5FFFH　 各I/O 端口地址计算: I/O1: A15 A14 A13 A12 …A10 A9 A8 A7 …A1 A0 1 1 X X 0 0 0 X 0 0 所以端口地址为:C000H(X为无关位,取0) I/O2: 1 1 X X 0 0 1 X … 0 0 1 所以端口地址为: C100H/C101H 同理可得I/O3端口地址: C200H-C203H 其他I/O端口地址请同学自己写出. 3. 大容量存储器管理 例3 单片机系统中有1片128K字节的RAM,可采用 I/O线模拟高位地址线的方法来解决寻址问题: 例3问题补遗: 若系统中的RAM是256K字节,当如何解决? 若系统中还有其他I/O接口,怎样译码? 对分页操作情况,软件上应如何进行? 这种处理方法是否适用于ROM? 10.6应用实例——单片机温度控制系统 10.6.1硬件电路 1. 温度检测和变送器 2. 接口电路 3. 温度控制电路 过零触发电路 311输出 交流电压 Q1、Q2 74LS00与非门 可控硅输出 T0 中断：扫描键盘/显示。 T1中断：采集温度及加热控制 T0、T1外中断触发方式。 P1.3 光耦：通—可控硅触发 断—可控硅不触发 10.6.2 步进电机控制系统 步进电机控制原理 步进电机控制程序设计 步进电机变速控制 步进电机控制原理(步距角,相,拍) 三相步进电机的通电方式有： （1）三相三拍通电方式： A→B→C→A。 （2）三相双三拍通电方式：AB→BC→CA→AB。 （3）三相六拍通电方式： A→AB→B→BC→C→CA。 按以上顺序通电，步进电机正转。 要使电机反转，将上述步进电机各相绕组的通电相序反过来即可。 如三相三拍反转的通电方式为：A→C→B→ A。 +27V MLA MLB MLC 1K 15K 15K 15K 1K 1K 7406 8031 P1.0 P1.1 P1.2 P2.3 P2.0 D7 D0 Q7 Q0 A11 A8 A7 A0 D7 D0 D7 D0 2732 CE OE G OE ALE PSEN ～ ～ ～ ～ ～ ～ ～ 图10-1 单片机控制三相步进电机原理图 节 拍 通电顺序 控制模型 正转 反转 二进制 十六进制 1 6 A 01 2 5 AB 03 3 4 B 02 4 3 BC 06 5 2 C 04 6 1 CA 05 步进电机控制程序设计 步进电机控制的任务就是： ①判断旋转方向 ②按顺序送出控制脉冲 ③判断脉冲是否送完 正反转控制模型数据的存放单元见表10-2和表10-3，其中26H和2DH中存放模型结束标志. 表10-2 正转控制模型数据 内存字节地址 20H 21H 22H 23H 2