模拟数字电力电子技术基础知识新解析.pptVIP

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第一章 基础知识 三、 整流滤波电路 ① 截止失真:当放大电路的静态工作点Q 选取比较低时,IBQ较小,输入信号的负半周进入截止区而造成的失真称为截止失真。 第四节 半导体三极管及基本放大电路 (1) 输入特性曲线 是指一定集电极和发射极电压 下,三极管的基极电流 与发射结电压 之间的关系曲线。如右图示 (2) 输出特性曲线 是指一定基极电流 下,三极管的集电极电流 与集电结电压 之间的关系曲线 3. 三极管的共射极特性曲线 第四节 半导体三极管及基本放大电路 一般把三极管的输出特性分为3个工作区域,分别介绍。 ① 截止区 三极管工作在截止状态时,具有以下几个特点: (a)发射结和集电结均反向偏置; (b)若不计穿透电流 ,有 、 近似为0; (c)三极管的集电极和发射极之间电阻很大,三极管 相当于一个开关断开。 ② 放大区 输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时,具有以下特点: (a)三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置;对NPN型的三极管,有电位关系:UCUBUE; (b)基极电流 微小的变化会引起集电极电流 较大的变化,有电流关系式: 第四节 半导体三极管及基本放大电路 ③ 饱和区 三极管工作在饱和状态时具有如下特点: (a)三极管的发射结和集电结均正向偏置; (b)三极管的电流放大能力下降,通常有ICβIB; (c)UCE的值很小,称此时的电压UCE为三极管的饱和 压降,用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为 0.3V,锗三极管的UCES约为0.1V; (d)三极管的集电极和发射极近似短接,三极管类似 于一个开关导通。 三极管作为开关使用时,通常工作在截止和饱和状态;作为放大元件使用时,一般要工作在放大状态。 第四节 半导体三极管及基本放大电路 4. 三极管的主要参数 (2)极间反向电流 ① 集电极基极间的反向饱和电流 ② 集电极发射极间的穿透电流 (1)共发射极电流放大系数β 是指从基极输入信号,从集电极输出信号, 此种接法(共发射极)下的电流放大系数。 (3)极限参数 ① 集电极最大允许电流 ② 集电极最大允许功率损耗PCM ③ 基极开路反向击穿电压BUCEO (4)特征频率 , 下降到1时的频率 第四节 半导体三极管及基本放大电路 二、基本共射极放大电路 (1)三极管 (2)隔直耦合电容C1和C2 (3)基极回路电源VBB和 基极偏置电阻Rb (4)集电极电源VCC (5)集电极电阻Rc 1.电路中各元件的作用 2.工作原理 要求:一不失真;二要放大 第四节 半导体三极管及基本放大电路 3.静态工作点的设置 静态工作点( )是指当输入信号为 零时,三极管的基极电流 、集电极电流 、管压降 和发射结压降 ,通常 作为已知条件。 大写字母,大写下标表示直流量,如 、 等。 小写字母,小写下标表示交流量,如 、 等。 小写字母,大写下标表示瞬时量,如 、 等。 大写字母,小写下标表示有效值,如 、 等。 第四节 半导体三极管及基本放大电路 三、放大电路的分析方法 任务:定量确定放大电路的静态工作点及主要动态参数 1. 放大电路的直流通路和交流通路 第四节 半导体三极管及基本放大电路 直流通路: 是指静态( )时,电路 中只有直流量流过的通路。 画直流通路有两个要点: ①电容视为开路 ②电感视为短路 估算电路的静态工作点Q时必须依据直流通路。 交流通路: 指静态( )时,电路 中交流分量流过的通路。 画直流通路有两个要点: ①耦合电容视为短路 ②直流电压源(内阻很小,忽略不计)视为短路。 第四节 半导体三极管及基本放大电路 2. 放大电路静态工作点的分析 (1)估算法 共射极放大电路 直流通路 关键是 按方程 作一条直流负载线 第四节 半导体三极管及基本放大电路 (2)图解法 ①令 求得: 即直线与纵轴的交点 ②令 ,求得 ,即直线与纵轴的交点 第四节 半导体三极管及基本放大电路 3. 三极管简化的微变等效电路 输入正弦交流信号 为正弦信号 为正弦信号 三极管的输出回路可以等效为一个阻值

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