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第六章 MOS场效应晶体管 半导体器件物理 * 沟道电导与阈值电压 实际MOS的C-V特性 Lecture 20：§6.3-6.4 1、阈值电压(Threshold voltage) 2、沟道电导(Channel conductance) 3、实际MOS的C-V特性 （1）影响C-V特性的因素 ① 功函数的影响(Work function) ② 界面陷阱和氧化物电荷的影响 （2）实际MOS阈值电压 （3）实际MOS的C-V特性 反型层在漏源之间的导电通道，称为沟道。由于沿着垂直沟道方向上电子浓度不同，电导率不同。平均电导率表示为： 一、沟道电导 沟道宽度 感应的沟道电子电荷 沟道电导为： 沟道电导为： MOSFET阈值电压VTH是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。 由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。 在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压VTH小一些好。 阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。 二、阈值电压 VGVTH，才出现负的感应沟道电荷QI，则有阈值电压： 或： 强反型时的表面势 强反型时所需要的电压： 三、实际MOS