第二章MOS器件与工艺基础要点解析.pdf

第二章 MOS 器件与工艺基础 VLSIC 的主流制造技术是 MOS 技术，因此，相关 MOS 器件基础知识就成 为大规模、超大规模集成电路设计者必须掌握的基础知识。在本章中将介绍有关 MOS 器件的结构、工作原理、设计考虑以及有关基本理论。 2.1 MOS 晶体管基础 2.1.1 MOS 晶体管结构及基本工作原理 MOSFET 是 Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor 的英文缩写，平面型 器件结构，按照导电沟道的不同可以分为 NMOS 和 PMOS 器件。典型的硅栅 NMOS 和 PMOS 器件的平面和剖面结构如图 2.1 （a ）和（b ）所示。 图2.1 NMOS 和 PMOS 的平面与剖面结构示意图 由图可见，NMOS 和 PMOS 在结构上完全相象，所不同的是衬底和源漏的 掺杂的类型不同。简单的说，NMOS 是在 P 型硅的衬底上，通过选择掺杂形成 N 型的掺杂区，作为 NMOS 的源漏区；PMOS 是在 N 型硅的衬底上，通过选择掺 杂形成 P 型的掺杂区，作为 PMOS 的源漏区。如图所示，两块源漏掺杂区之间 的距离称为沟道长度L ，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W 。 对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流 向才能最后确认具体的源和漏。器件的栅是具有一定电阻率的多晶硅材料，这也 是硅栅 MOS 器件的命名根据。在多晶硅栅与衬底之间是一层很薄的优质二氧化 硅，处于两个导电材料之间的这一层二氧化硅是用于绝缘这两个导电层，它是绝 缘介质。从结构上看，多晶硅栅-二氧化硅介质-掺杂硅衬底形成了一个典型的平 板电容器，通过对栅电极施加一定极性的电荷，就必然地在硅衬底上感应等量的 异种电荷。这样的平板电容器的电荷作用方式正是 MOS 器件工作的基础。 图2.2~ 图2.4 说明了 NMOS 器件工作的基本原理。当在 NMOS 的栅上施加 相对于源的正电压 VGS 时，栅上的正电荷在 P 型衬底上感应出等量的负电荷，随 着 VGS 的增加，衬底中接近硅-二氧化硅界面的表面处的负电荷也越多。其变化 过程如下：当 VGS 比较小时，栅上的正电荷还不能使硅-二氧化硅界面处积累可 运动的电子电荷，这是因为衬底是 P 型的半导体材料，其中的多数载流子是正电 荷空穴，栅上的正电荷首先是驱赶表面的空穴，使表面正电荷耗尽，形成带负电 的耗尽层。这时，虽然有 VDS 的存在，但因为没有可运动的电子，所以，并没有 明显的源漏电流出现。增加 VGS ，耗尽层向衬底下部延伸，并有少量的电子被吸 引到表面，形成可运动的电子电荷，随着VGS 的增加，表面积累的可运动电子数 量越来越多。这时的衬底负电荷由两部分组成：表面的电子电荷与耗尽层中的固 定负电荷，如果不考虑二氧化硅层中的电荷影响，这两部分负电荷的数量之和等 于栅上的正电荷的数量。当电子积累达到一定的水平时，表面处的半导体中的多 数载流子变成了电子，即相对于原来的 P 型半导体，具有了 N 型半导体的导电 性质，这种情况称为表面反型。根据晶体管理论，当 NMOS 晶体管表面达到强 反型时所对应的 VGS 值，称为 NMOS 晶体管的阈值电压 VTN 。这时，器件的结 构发生了变化，自左向右，从原先的 N-P-N 结构，变成了 N-N-N 结构，表面反 型的区域被称为沟道区。在 VDS 的作用下，N 型源区的电子经过沟道区到达漏区， 形成由漏流向源的源漏电流。显然，VGS 的数值越大，表面处的电子密度越大， 相对的沟道电阻越小，在同样的 VDS 的作用下，源漏电流越大。当VDS 的值很小 时，沟道区近似为一个线性电阻，此时的器件工作区称为线性区，其电流- 电压 特性如图 2.3 所示。 图2.2 NMOS 处于导通时的状态 图2.3 线性区的I-V 特性 当 VGS 大于 VTN 且一定时，随着 VDS 的增加，NMOS 的沟道区的形状将逐 渐的发生变化。在 VDS 较小时，沟道区基本上是一个平行于表面的矩形，当VDS 增大后，都相对于源端的电压 VGS 和 VDS 在漏端的差值逐渐减小，并且因此导致 漏端的沟道区变薄，当达到 VDS=VGS-VTN 时，在漏端形成了 VDS-VGS=VT