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第三章 版图设计 光刻工艺 CMOS集成电路工艺 P阱CMOS N型硅晶片(圆片) N阱CMOS P型硅晶片 CMOS集成电路工艺 双阱CMOS N阱CMOS工艺 晶片（Wafer）直径100~300mm 厚度：0.4~0.7mm P型硅晶片 N阱CMOS工艺流程 N阱CMOS工艺流程 P型硅晶片 一个芯片 第一步：N阱生成 1、氧化 2、光刻一：N阱光刻 3、N阱掺杂 第二步：有源区的确定和场氧氧化 1、淀积氮化硅层：生成N阱后，首先去除掉硅表面的氧化层。然后重新生长一层薄氧化层，并淀积一层薄氮化硅 2、光刻二：场氧光刻，又称为有源区光刻。 3、氧化层生长 第三步：生长栅氧化层和生成多晶硅栅电极 1、生长栅氧化层：去除掉有源区上的氮化硅层及薄氧化层以后，生长一层作为栅氧化层的高质量薄氧化层 2、在栅氧化层上再淀积一层作为栅电极材料的多晶硅 3、光刻三：光刻多晶硅 第四步：形成P沟道MOS晶体管 1、光刻四：P沟道MOS晶体管源漏光刻 2、P沟道源漏区掺杂 第五步：形成N沟道MOS晶体管 1、光刻五：N沟道MOS晶体管源漏光刻 2、N沟道源漏区掺杂 第六步：光刻引线接触孔 1、氧化：源漏掺杂后，去除掉表面的光刻胶和薄氧化层，重新生长一层厚氧化层。由于硅栅的保护作用，其下方的栅氧化层还保留，不会被腐蚀掉，起