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EELS 和 EDS的比较 EELS 散射的一次过程 散射方向主要为入射束前进方向 效率高 适于分析轻元素 提供空态态密度、氧化态、局域的相邻原子成分和距离、能带结构信息 缺点：峰形复杂、本底变化 EDS 散射的二次过程 散射方向不是入射束前进方向 效率低 适于分析重元素 （1）零损失峰 （2）低能损失－等离子损失峰（plasmons) 高能损失范围的谱图－电离损失峰 (ionization edge) 高能损失范围的谱图－电离损失峰的形状 高能损失范围的谱图－电离损失峰用于成分分析 近阈精细结构ELNES 近阈精细结构ELNES－同素异构碳 谱仪的一些重要参数－空间分辨率 Spatial resolution 取决于采集谱时，所选择的电子显微镜的模式 TEM mode: 谱仪光栏直径/放大倍率 ＝ 1mm/100000 = 10nm 能量损失大时，受物镜色差影响，可造成偏离物位置约 100nm 适合于采用大的谱仪接收角，获得好的能量分辨率，空间分辨率差 TEM diff. : 空间分辨率 ＝ 样品上的束斑直径 一般电镜：由选区衍射光栏确定样品上对EELS譜有贡献的区域 DSTEM: 由聚焦电子束确定样品上对EELS譜有贡献的区域 有可能获得接近一个原子柱的空间分辨率 二、电子能量损失谱 1、电子能量损失谱的解释 i：零损失峰和phonons损失 ii：等离子振荡和带间跃迁损失 iii：电离化过程损失 iv：本底 Al的电子能量损失谱图 零损失峰不包含样品信息 入射电子与样品未发生交互作用 入射电子与样品发生弹性交互作用（但不包括大散射角的Bragg衍射） 入射电子造成样品中原子振动，声子 激发，损失能量小于0.1eV 零损失峰的半高宽表征谱仪的能量分 辨率 零损失峰可用作于： 谱仪的调整（峰型应为高斯） 等离子损失峰：入射电子与导体或半导体样品中的自由电子气交互作用，使电子气振荡. 能量0-50eV范围。 入射电子损失能量（等离子振荡能量） EP = hωP = h (ne2/ε0m)1/2 n: 自由电子气的局域态密度 可利用上式测定样品某个元素的浓度 可利用 t/λ=ln(Io/It) 测量样品的厚度 λ：此能量范围的非弹性散射平均自由程 ≈100nm t：样品厚度，Io: 零峰强度，It：等离子损失峰强度 Al样品的不同厚度的等离子损失峰 （3）高能损失范围的谱图 原子的内壳层电子被激发至费米能级的各个未占据态所引起的能量损失 入射电子越靠近原子的核，非弹性散射损失能量越大 高能损失范围：E 50eV 高能损失范围谱图: 本底 电离损失峰(absorption edge) E=Ec 近阈精细结构(ELNES) E=Ec to Ec+50eV 广延精细结构(EXELFS) EEc+50eV 等离子散射后电离 E=Ec+15.25eV Ec：onset energy 核对内壳层电子的束缚能 (binding energy) EEc 时，才能被电离，Ec 是能被电离的最小的能量值 E=Ec 时，散射截面达最大值 随损失能量增加，散射截面减小，电离损失峰强度减小 a) K-edge 陡峭齿形 b) 第三周期元素 (Na-Cl)、第四周期元素（Zn-Br) L2,3 edges、第五周期元素的 M4,5 edges的缓发的极大值 c) 过渡族和稀土元素的 White line d) 第四周期元素 (K-Ti) 的 M4,5 edges (~40eV，Plasma-like) e) Bound state + 缓发的极大值 元素的电离损失峰形状与它在元素周期表中位置相关，即与它的电子结构相关 ELNES 类同于 XANES 的解释。 Fingerprinting 电离损失峰的强度不仅取决于原子的微分散射截面，而且，与电子跃迁过程的末态态密度有关，由此，可得相关原子的化学价态信息。 ELNES表示了原子的未被占据的轨道的空态态密度 ELNES能反映Symmetry-projected DOS K edge p-like 特征, L edge d-like 特征 电离损失峰化学位移 (Chemical shift) 两类原子形成离子晶体，正（负）离子由于失去（得到）电子，使它们的内壳层电子处于更深（更外）的轨道能级上，电离所需能量更大（小）一些。由此产生edge Ec的位移。 过渡族和稀土元素的White