凸结构的形成-低载下单晶硅表面的划痕损伤研究.pdfVIP

第 ３０卷　第 １期 摩 擦 学 学 报 Ｖｏｌ．３０　Ｎｏ．１ ２０１０年 １月 Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ Ｊａｎ．，２０１０ 凸结构的形成 －低载下单晶硅 表面的划痕损伤研究 杨　超，余丙军，钱林茂 （西南交通大学 牵引动力国家重点实验室 摩擦学研究所，四川 成都　６１００３１） 摘　要：利用纳米划痕仪及曲率半径为３ ｍ的球形金刚石针尖，在单晶硅（１００）表面进行了不同载荷下的划痕试 μ 验．结果表明：随载荷的增加，单晶硅表面的划痕损伤先后经历了从凸起形成、凸起与凹槽并存到材料去除的变化过 程．当载荷为０．５～３．０ｍＮ时，单晶硅上的划痕损伤表现为凸结构的形成，且凸起的高度和体积随载荷的增加而增 大；当载荷为３～５０ｍＮ时，凸起和凹槽同时出现，但损伤区域体积未见减少，损伤仍以凸结构形成为主导；当载荷大 于５０ｍＮ时，凹槽深度和磨损体积明显增大，划痕损伤表现为典型的材料去除．进一步的分析显示，单晶硅的划痕 损伤特征与其接触区的应力状态密切相关，低载下的摩擦剪切是凸结构产生的主要原因． 关键词：单晶硅；划痕损伤；凸起形成 中图分类号：ＴＨ１１７．３ 文献标志码：Ａ 文章编号：１００４－０５９５（２０１０）０１－００９２－０５ ＦｏｒｍａｔｉｏｎｏｆＨｉｌｌｏｃｋ－ＳｃｒａｔｃｈＤａｍａｇｅ ｏｎＳｉ（１００）ＳｕｒｆａｃｅｕｎｄｅｒＬｏｗＬｏａｄ ＹＡＮＧＣｈａｏ，ＹＵＢｉｎｇ－ｊｕｎ，ＱＩＡＮＬｉｎ－ｍａｏ （ＴｒｉｂｏｌｏｇｙＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅ， ＮａｔｉｏｎａｌＴｒａｃｔｉｏｎＰｏｗｅｒＬａｂｏｒａｔｏｒｙ，ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００３１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｕｓｉｎｇａｓｐｈｅｒｉｃａｌｄｉａｍｏｎｄｔｉｐｏｆ３ ｍｉｎｒａｄｉｕｓａｎｄｎａｎｏ－ｓｃｒａｔｃｈｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ，ｔｈｅｓｃｒａｔｃｈｔｅｓｔｓｗｅｒｅｃａｒｒｉｅｄｏｕｔ μ ｏｎＳｉ（１００）ｓｕｒｆａｃｅｕｎｄｅｒｖａｒｉｏｕｓｌｏａｄｓ．Ｉｔｗａｓｆｏｕｎｄｔｈａｔｗｉｔｈｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｉｎｔｈｅｌｏａｄ，ｔｈｅｓｃｒａｔｃｈｄａｍａｇｅｏｎＳｉ（１００） ｓｕｒｆａｃｅｗｏｕｌｄｅｘｐｅｒｉｅｎｃｅｔｈｅｆｏｌｌｏｗｉｎｇｔｈｒｅｅｓｔａｇｅｓ：ｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｓｕｒｆａｃｅｈｉｌｌｏｃｋ，ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆｈｉｌｌｏｃｋａｎｄｇｒｏｏｖｅ，ａｎｄ ｒｅｍｏｖａｌｏｆｍａｔｅｒｉａｌ．Ｗｈｉｌｅｔｈｅｌｏａｄｖａｒｉｅｄｂｅｔｗｅｅｎ０．５ａｎｄ３ｍＮ，ｔｈｅｓｃｒａｔｃｈ－ｉｎｄｕｃｅｄｄａｍａｇｅｗａｓｉｄｅｎｔｉｆｉｅｄａｓｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｈｉｌｌｏｃｋ．Ａｓｔｈｅｌｏａｄｉｎｃｒｅａｓｅｄｆｒｏｍ３ｔｏ５０ｍＮ，ｔｈｅｓｃｒａｔｃｈｃｏｕｌｄｌｅａｄｔｏｔｈｅｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆｇｒｏｏｖｅ．Ｈｏｗｅｖｅｒ， ｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｈｉｌｌｏｃｋｋｅｐｔｇｒｏｗｉｎｇａｎｄｔｈｅｈｉｌｌｏｃｋｓｔｉｌｌｄｏｍｉｎａｔｅｄｔｈｅｓｃｒａｔｃｈｐｒｏｃｅｓｓ．Ｗｈｅｎｔｈｅｎｏｒｍａｌｌｏａｄａｔｔａｉｎｅｄ５０ｍＮ， ｔｈｅｄｅｐｔｈｏｆｔｈｅｓｃｒａｔｃｈｅｄｇｒｏｏｖｅｉｎｃｒｅａｓｅｄｒａｐｉｄｌｙａｎｄｍａｔｅｒｉａｌｓｒｅｍｏｖａｌｂｅｇａｎｔｏｇｏｖｅｒｎｔｈ