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极化电荷 量子阱的基本特征 量子阱的基本特征是，由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱)的限制，导致载流子波函数在一维方向上的局域化，量子阱中因为有源层的厚度仅在电子平均自由程内，阱壁具有很强的限制作用，使得载流子只在与阱壁平行的平面内具有二维自由度，在垂直方向，使得导带和价带分裂成子带。??量子阱中的电子态、声子态和其他元激发过程以及它们之间的相互作用，与三维体状材料中的情况有很大差别。在具有二维自由度的量子阱中，电子和空穴的态密度与能量的关系为台阶形状。而不是象三维体材料那样的抛物线形状。 德布罗意(de Broglie)波长 光具有波粒二象性的启发下，法国物理学家德布罗意（1892～1987）在1924年提出一个假说，指出波粒二象性不只是光子才有，一切微观粒子，包括电子和质子、中子，都有波粒二象性。他把光子的动量与波长的关系式p=h/λ推广到一切微观粒子上，指出：具有质量m 和速度v 的运动粒子也具有波动性，这种波的波长等于普朗克恒量h 跟粒子动量mv 的比，即λ= h/（mv）。这个关系式后来就叫做德布罗意公式。　　 从德布罗意公式很容易算出运动粒子的波长。 　　例如，电子的电荷是1.6×10^-19 库，质量是0.91×10^-30 千克，经过200 伏电势差加速的电子获得的能量E=Ue=200×1.6×10-19 焦=3.2×10-17 焦。这个能量就是电子的动能，即0.5mv^2=3.2×10^-17 焦，因此v=8.39*10^6 米/秒。于是，按照德布罗意公式这运动电子的波长是λ=h/(mv)=6.63*10^-34/(9.1*10^-31*8.39*10^6)=8.7×10-11 米，或者0.87 埃。 　　我们看到，这个波长与伦琴射线的波长相仿。前面讲过，这样短的波长，只有用晶体做衍射光栅才能观察到衍射现象。后来人们的确用这种办法观察到了电子的衍射，从而证明了德布罗意假说的正确性。 光是一种能量的形态，是一种电磁波。 在同一介质中，能量从能源出发沿直线向四面八方传播,这种能量传递的方式通常叫做辐射。 通常可以用波长来表达人眼所能感受到的可见光的辐射能量。 人眼所能见的可见光的光波只占宽阔的电磁波谱家族中的很小空间。 各种颜色光的波长 光色 波长λ（nm) 代表波长 红（Red） 780～630 700 橙（Orange） 630～600 620 黄（Yellow） 600～570 580 绿（Green） 570～500 550 青（Cyan） 500～470 500 蓝（Blue） 470～420 470 紫（Violet） 420～380 420 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即： λ≈1240/Eg（ev） （nm） 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg。 Eg越大，所发出的光子波长就越短，颜色就会蓝移。反之， Eg越小，所发出的光子波长就越长，颜色就会红移。 若要产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应该在1.59～3.26 eV之间。 在此能量范围之内，带隙为直接带的Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料只有GaN、 GaP等少数材料，也可以利用Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族二元化合物组成新的三元或四元Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族固溶体，通过改变固溶体的组分来改变禁带宽度与带隙类型。 光的颜色与芯片的材料有关系。 材料不一样，电子和空穴复合的能量不一样，发出的光也不一样。 红、黄光芯片的主要材料：AlGaInP、 GaAlAs 蓝、绿光芯片的主要材料：GaN、 InGaN 窗口层 P-限制层 N-限制层 活性层 布拉格反射层 衬底 制造发光二极管的半导体材料 主要半导体发光材料对应的发光颜色 最成熟的发光材料：GaP（橙，绿光），AlGaAs（红光）， InGaAlP（红光），InGaN（蓝，绿光） Dominant Wavelength , ?D ( nm ) 300 400 500 600 700 AlGaAs (AlxGa1-x)0.5In0.5P InGaN InxGa1-xN LED的发光波长 Eg ? x ·Eg,InN + (1-x) ·Eg,GaN – b ·x ·(1-x) b ? Bowing Parameter Eg,InN = 0.77 eV, Eg,GaN = 3.42 eV, b = 1.43 eV 结论 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即： λ≈1240/Eg（