半导体物理复习讲解.ppt

第*页 2012年12月17日星期一 主要内容： 载流子的漂移运动 迁移率 载流子的散射 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度和温度的关系 强场下的效应 热载流子 多能谷散射 第*页 2012年12月17日星期一 4、半导体中主要的两种散射机构是什么？在有多种散射机构存在的情况下，为什么迁移率主要由自由时间短的机理决定？ （2006） 9、（16分）在T=300K下，一N型半导体Si样品，测得的电阻率为0.1?-cm。 （1）求此时的电子浓度和空穴浓度（查图）。 （2）若在此样品中，再掺入9?1016cm-3P型杂质，求此时样品的电阻率、多子浓度和少子浓度。并求出此时多子的迁移率（查图）。（2006） 第*页 2012年12月17日星期一 迁移率与杂质和温度的关系 总的散射几率 平均自由时间 同时存在多种散射机构时，哪种起主要作用？ 第*页 2012年12月17日星期一 11、（13分） 1） 什么是载流子的迁移率？影响迁移率的主要散射机理有几种。讨论载流子类型、掺杂和环境温度对迁移率的影响关系。 2） 论述用霍尔效应测量载流子迁移率的实验方法。(2010) 第*页 2012年12月17日星期一 第五章、 非平衡载流子（ Excess Carriers） 本章在已知电子和空穴在导带和价带的分布情况以及载流子在外加电场下的运动规律的情况下，讨论非平衡载流子的产生、复合、及扩散。 目的：？？有浓度梯度时如何运动（简化情况） （浓度梯度如何产生？两种：内部，外部） 掺杂梯度（引入电场），非平衡载流子 第*页 2012年12月17日星期一 主要内容： 非平衡载流子的产生与复合 非平衡载流子的寿命 存在非平衡载流子时的费米能级——准费米能级 复合理论 载流子扩散方程 连续性方程 第*页 2012年12月17日星期一 掺有5×1015cm－3磷原子和1×1016cm－3硼原子的硅样品，室温下分别计算； A、热平衡态下多子、少子浓度，费米能级的位置（Ei为参考） B、样品的电阻率； C、光注入Δn＝Δp＝3×1013cm－3的非平衡载流子，是否小注入，为什么？ D、光注入下准费米能级（ Ei为参考）； E、画出平衡态下能带图，在此基础上再画出光注入时的准费米能级，说明其偏离EF程度不同的原因； F、光注入时的样品电导率 第*页 2012年12月17日星期一 第*页 2012年12月17日星期一 11、（15分）光均匀照射一个5?cm的p型Si样品，电子－空穴对的产生率为5x1016cm-3s-1，样品寿命为10 ?s ，计算光照前、后样品电阻率的改变，以及费米能级位置的变化（假定此问题中，电子和空穴的迁移率相同）。（2008） 第*页 2012年12月17日星期一 第六章、 p－n结 本章在已知载流子分布以及电场和浓度梯度下载流子运动规律的前提下，讨论PN结电流电压特性、电容效应、击穿特性等。 目的：了解半导体器件最基础单元具有的特性。 第*页 2012年12月17日星期一 主要内容： 1 、热平衡条件下的p-n结(无电状态) p-n结定义及形成 p-n结的空间电荷区及自建电场 p-n结的能带图 空间电荷区中的电场、电位分布 p-n结接触电势差 p-n结载流子分布 第*页 2012年12月17日星期一 主要内容： 2、p-n结直流电压特性(直流状态) 非平衡状态下的p-n结 理想p-n结电流电压方程 影响p-n结电流电压特性偏离理想电流电压方程的因素 第*页 2012年12月17日星期一 3、p-n结电容(交流特性) 势垒电容、扩散电容 4、p-n结击穿 (反向功率特性) 5、p-n结隧道效应（重掺杂特性） 第*页 2012年12月17日星期一 10、（1）写出理想PN结的I-V特性，即电流密度J与电压V的关系方程。分别在直角线性坐标系和半对数坐标系中，示意画出PN结电流－电压特性曲线。 (2) 在半对数坐标系中的曲线上，如何将正向小电压下势垒区复合电流和反向电压下势垒区产生电流产生的作用反映在曲线上？简单解释之。 (3）如果PN结电流中，同时考虑扩散电流和复合电流时，即采用理想因子m，写出含有理想因子m的J-V特性方程，并描述一种测量m的实验方法。 (4) 分别分析PN结加正向偏置和反向偏置，对PN结边界处少子浓度的改变，以