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电子封装专用设备 第一部分 半导体制造主要工艺流程与设备概述。 图1 半导体制造、封装、测试工艺流程 图2 芯片制造基本工艺流程图 半导体制造工艺是由多种单项工艺组合而成的，主要包括以下四类：薄膜形成工艺；图形转移工艺；掺杂工艺；热处理工艺。 ⑴ 薄膜形成工艺与设备 薄膜工艺包括氧化工艺和薄膜淀积工艺。通过生长或淀积的方法，生成集成电路制造过程中所需的各种材料的薄膜，如金属层、绝缘层等。 氧化(Oxidation)工艺的主要目的是在硅衬底表面形成氧化膜SiO2。 在硅衬底表面形成SiO2氧化膜的方法：化学气相淀积(CVD)和氧化。其中氧化又分为自然氧化（在常温下，硅表面可生长出SiO2氧化层，厚约2nm）和热氧化(Thermal Oxidation)（在高温炉中反应，形成较厚的SiO2氧化层，也称为热生长法） 热氧化法的3种环境：①干氧氧化(O2) ②水蒸气氧化(H2O) ③湿氧氧化(H2O+O2) 图3 热氧化生成二氧化硅设备原理示意图 氧化炉主要有高温干式氧化炉和高温湿式氧化炉两种，基本原理如上图所示。 化学气相淀积(CVD, Chemical Vapor Deposition)是利用气态的先驱