电子束蒸发Al2O3SiO2复合薄膜电学性能的研究.pdfVIP

下载本文档

22
0
约2.06万字
约 5页
2016-05-13 发布于安徽
举报
版权申诉

电子束蒸发Al2O3SiO2复合薄膜电学性能的研究.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

( ) 39 1 福州大学学报自然科学版 Vol． 39 No． 1 第卷第期 2011 2 Journal of Fuzhou University (Natural Science Edition) Feb． 2011 年月【DOI 】CNKI :35 － 1117 / N． 1722 ． 005 文章编号:1000 － 2243 (2011)01 － 0067 － 05 电子束蒸发Al O / SiO 复合薄膜电学性能的研究 2 3 2 ，，，，翁卫祥贾贞于光龙李昱郭太良 ( ， 350108) 福州大学物理与信息工程学院福建福州 : ， Al O / SiO ，摘要利用离子辅助电子束蒸发技术在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了 2 3 2 叠层复合薄膜单 54 16 nm ， 560 nm． / / 层介质膜膜厚分别选取和总厚度为采用步进法测试得到金属电极复合绝缘膜金属电极 (MIM) I － V ， CrCuCr / (Al O / SiO )/ CrCuCr ， 80 nm / 560 nm / 80 结构的特性曲线具体成分为 2 3 2 8 相应的厚度为－ 1 nm ， 2 ． 7 MV ·cm ， FED ．复合薄膜的平均击穿场强为较好地满足后栅结构中对介质膜耐压特性的要求结合，Al O / SiO ，理论分析发现 2 3 2 复合薄膜在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制其低场强区服，，，－ F － N ．从准欧姆定律随着场强升高在不同的阶段分别以肖特基效应普尔弗兰凯尔效应和效应为主 :Al O ;SiO ; ; ; ; 关键词 2 3 2 复合薄