第九章烧结要点.ppt

* * 热压烧结可制备高致密度材料 一些共价键材料，如碳化物、氮化物，在烧结温度下，分解压力高，原子迁移率低，无压烧结很难致密化 超高压烧结 但热压烧结却可显著提高材料致密度、降低 烧结温度 * * 一般无机材料： 烧结温度Ts＝0.7～0.8Tm（熔点） 热压烧结温度THP ＝0.5～0.6Tm 如：BN粉末 200 MPa等静压成型，2500 ℃烧结，制品相对密度仅为0.66 25 MPa，1700 ℃热压烧结，可得相对密度为0.97制品 * * 总之，烧结影响因素很多，相互间关系复杂，必须通过实验综合考虑各种因素，并恰当运用，以获得好得烧结材料 课后作业：7，10，11 * * * 5.二次再结晶的影响因素 1）.晶粒晶界数： 大晶粒长大速率开始取决与晶粒边缘数 基相细晶粒均匀生长，大晶粒晶界数（边缘数）多，如：当坯体中原始晶粒有晶界数大于10的大晶粒，晶粒长大到某一程度时，大晶粒尺寸远大于基质晶粒，晶界移动时快速扫过气孔，短时间内吞并周边第一代小晶粒，生成含有封闭气孔的大晶粒，导致不连续晶粒生长 * * 2）. 多晶陶瓷制备原始物料颗粒大小 细粉料：二次再结晶程度取决于起始物料颗粒大小 粗粉料：二次再结晶程度较小 Eg. BeO 的晶粒生长： 起始粒度2um，二次再结晶晶粒尺寸60um 起始粒度10um，二次再结晶晶粒尺寸30um * * 3).工艺因素 工艺原因： 原始粒度分布不均匀； 烧结温度过高； 烧结速率太快； 坯体成型压力不均匀； 局部不均匀液相等 * * 杨为中等 电子材料与元件 2004，23（2）：10-12 sintered in 1250℃ sintered in 1200℃ PMMN－PZT压电陶瓷 * * 6.控制二次再结晶的方法 尽量避免二次再结晶的出现 1）.控制烧结温度制度：升温速率，烧结温度，保温时间，冷却制度等，如：温度不能过高，升温速度不能过快 避免致密化速率过快，将气孔封闭在晶体内 * * 2）.最好方法；加入添加剂，抑制晶界迁移，加速气孔排除 生成晶界填隙，降低晶界能，阻止晶界快速移动；有的还可加速晶格扩散 晶界迁移抑制剂 Eg.Al2O3中添加MgO促进烧结，达到理论密度； * * 3）.原料尺寸均匀，分布窄 4）.成型压力均匀，密度均匀，减少团聚体 成型尽可能压实、均匀，减小原始颗粒尺寸以减小原始气孔率，加速烧结过程中气孔的填充速率 * * 三.晶界在烧结中的作用 晶界：5～60nm，不同晶粒之间的交界面 晶界上原子排列疏松混乱，在烧结传质和晶粒生长过程中对坯体致密化起着十分重要的作用 * * 1）.晶界是气孔（空位源）通向烧结体外的主要扩散通道 即气孔排除的主要通道 2）.晶界是阴离子扩散的快速通道 离子晶体的烧结一般阴、阳离子必须同时扩散才能导致传质与烧结，但阴离子体积大，扩散慢，烧结速率一般由阴离子扩散速率控制 * * 3）.晶界上溶质的偏聚可延缓晶界的移动，加速坯体致密化 为了使Vb＝Vp，使空位扩散保持在晶界上，只有通过抑制晶界移动，避免晶粒的不连续生长 利用溶质易在晶界上偏析的特征，在坯体中添加少量溶质（烧结助剂），可达到抑制晶界移动的目的 4）.晶界对扩散传质烧结过程有利 * * 溶质易在晶界上偏析 实例 Al2O3试样中 Ca在孔隙和晶界上的偏析（左）；Mg在孔隙处 偏析（中）；La在晶界上的偏析（右） * * 9.5 烧结的影响因素 一.原始粉料粒度 颗粒细，表面积大、表面能大，增大了烧结推动力，缩短了原子扩散距离，提高了颗粒在液相中溶解度（液相烧结），导致烧结过程加速 * * Eg. MgO粉料的烧结： 起始粒度＞20μm： 1400℃下烧结仅达70％相对密度而不能进一步致密化 起始粒度＜20μm：1400 ℃ 或 起始粒度＜1μm：1000 ℃： 烧结速率很快达致密化 起始粒度＜0.1μm： 烧结速率达热压烧结 * * 但原始粒径除了细，还需均匀，以防止二次再结晶 细颗粒内若存在少量大颗粒，很容易发生晶粒异常生长，不利于烧结 原始粉末粒度不同，烧结机理也可能变化 * * Yang WZ et al. J Mater Sci Tech. 2005 ZnO压敏陶瓷 超细粉原料（亚微米级） 化学试剂原料（微米级） * * 二. 外加剂的作用 固相烧结：少量外加剂（烧结助剂）可与主晶相形成固溶体，使缺陷增加 液相烧结：少量外加剂可改变液相性质（如：粘度、组成等） 从而促进烧结 * * 1）.外加剂与烧结主体形成SS 外加剂与烧结主体的离子大小、晶格类型及电价接近时，形成固溶体SS，主晶相晶格畸变、缺陷增加，便于结构基元移动而促进烧结 有限置换型SS比连续型SS更有助于烧结 外加剂电价和半径与烧结主体离子电价、半径相差愈大，晶格畸变程度越大