第2章工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI讲解.ppt

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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * */145 * PROFILE P-TYPE N.PEAK=4e18 Y.MIN=0.0 Y.CHAR=0.16 + X.MIN = 1.25 WIDTH = 3.5 XY.RAT = 0.75 仍旧是定义基区的掺杂特性(和发射区邻接部分浓度较高)。 PROFILE N-TYPE N.PEAK=7e19 Y.MIN=-0.25 DEPTH=0.25 + X.MIN = 2.75 WIDTH = 1.5 XY.RAT = 0.75 Y.CHAR = 0.17 定义N型(多晶)发射区的掺杂特性。 PROFILE N-TYPE N.PEAK=1e19 Y.MIN=2.0 Y.CHAR=0.27 定义N型埋层的掺杂特性。 COMMENT Regrids on doping 浙大微电子 */145 * REGRID DOPING LOG RATIO = 3 SMOOTH = 1 + IN.FILE = MDEX2DS 读入文件MDEX2DS,对网格进行优化处理。 REGRID DOPING LOG RATIO = 3 SMOOTH = 1 + IN.FILE = MDEX2DS 再次进行同样的优化处理,使网格更加细化。 COMMENT Extra regrid in emitter-base junction region only. REGRID DOPING LOG RATIO = 3 SMOOTH = 1 + IN.FILE = MDEX2DS X.MIN = 2.25 X.MAX = 4.75 + Y.MAX = 0.50 OUT.FILE = MDEX2MS 将整个完整定义的网格保存在文件MDEX2MS中。 浙大微电子 */145 * PLOT.2D GRID SCALE FILL + TITLE = Example 2P - Modified Simulation Mesh 完成的网格如图所示。 浙大微电子 */145 * COMMENT Modify properties of polysilicon-emitter region MOBILITY POLYSILI CONC = 7E19 HOLE = 2.3 FIRST LAST MATERIAL POLYSILI TAUP0 = 8E-8 多晶硅中空穴的寿命保持为8×10-8。 MODEL CONMOB CONSRH AUGER BGN 定义在仿真中用到的各种物理模型。 COMMENT Initial solution SYMB CARRIERS = 0 表示只选用POISSON方程来建模,称为零载流子模型。 METHOD ICCG DAMPED 一般使用ICCG DAMPED这两个参数来解零载流子模型。 浙大微电子 */145 * SOLVE V(Collector) = 3.0 在Vc = 3 V时求探索解。 SYMB NEWTON CARRIERS = 2 在使用了零载流子模型做初步估计后,使用更精确的模型NEWTON来做进一步求解。 SOLVE 仍在Vc = 3 V时求解(使用NEWTON模型)。 COMMENT Setup log files,forward bias base-emitter junction,and calculate the admittance matrix at 1.0 MHz LOG OUT.FILE = MDEX2PI 将上面仿真的数据保存在LOG(日志)文件MDEX2PI中。 浙大微电子 */145 * SOLVE V(Base)=0.2 ELEC=Base VSTEP=0.1 NSTEP=4 + AC.ANAL FREQ = 1E6 TERM = Base 在频率为1×106 Hz,Vb = 0.2~0.6 V(步长为0.1 V)的情况下,进行交流小信号的模拟。 SOLVE V(Base) = 0.7 ELEC = Base VSTEP = 0.1 NSTEP = 2 + AC.ANAL FREQ = 1E6 TERM = Base OUT.FILE = MDEX2P7 TITLE TMA MEDICI Example 2PP-NPN Transistor Simulation COMMENT Post-Processing of MDEX2P Results COMMENT Plot Ic and Ib vs. Vbe 浙大微电子 */145 * PLOT.1D IN.FILE = MDEX2P

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