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电力电子技术 主要内容： 电力电子器件：电力电子器件的分类； 电能变换的基本类型（AC/DC变换、DC/AC变换、AC/AC变换和DC/DC变换）； 变流技术的发展及其应用； 常用电力电子器件的结构和特点； 整流电路结构和工作原理； 试题讲解。 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类： 按电力电子器件的驱动性质可以将器件分为电压型和电流型器件。 1、电流型器件必须有足够的驱动电流才能使器件导通，因而一般情况下需要较大的驱动功率，这类器件有SCR、GTR、GTO等。 2、电压型器件的导通只需要有足够的电压和很小的驱动电流，因而电压型器件只需很小的驱动功率，这类器件有IGBT、MOSFET、MCT等。 基本分类 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类： 1、双极型电力电子器件：是指器件内部电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件,这类器件具有通态压降低、阻断电压高、电流容量大等优点,适用于中大容量的变流装置和电动机的驱动控制。 这类器件有巨型晶体管(GTR)、可关断晶闸管(GTO)、静电感应晶闸管(SITH)等。 2、单极型电力电子器件：是指器件内只有多数载流子参与导电过程的半导体器件,这类器件具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽、电流负温度系数良好的电流自动调节能力、良好的热稳定性和较高的抗干扰能力等优点,适用于中小功率、开关频率高的变流装置和电动机的驱动控制,如高保真度的音频放大,多种通讯设备和宇航空间技术等领域。 这类器件包括有功率场效应晶体管(MOSFET)和静电感应晶体管(SIT)等。 3、混合型电力电子器件：是由双极型和单极型两种器件混合集成。 利用耐高压、电流容量大的双极型器件(如SCR、GTR、GTO)作为输出级; 利用输入阻抗高、频率响应快的单极型器件(如MOSFET)作为输入级。 从而具备双极和单极器件的优点。这类器件有绝缘栅双极晶体管(IGBT)、MOS晶体管(MCT)、功率集成电路(PIC)等,其中功率集成电路PIC分为高压集成电路(HVIC)和智能功率集成电路(SPIC)。 1.3 电力电子变流技术的应用 1、电机传动与控制 1.4.1 不可控器件—电力二极管 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。 1.4.2 半控器件—晶闸管·引言 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 晶闸管的结构与工作原理 常用晶闸管的结构 晶闸管的封装形式： 还有塑封和模块式两种封装。 〔简单描述〕晶闸管SCR相当于一个半可控的、可开不可关的单向开关。 晶闸管的派生器件 有快速晶闸管和高频晶闸管。 开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。 2）双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 晶闸管的型号、选择原则1、普通晶闸管的型号 2、普通晶闸管的选择原则（1）选择额定电流的原则 在规定的室温和冷却条件下，只要所选管子的额定电流有效值大于等于管子在电路中实际可能通过的最大电流有效值 即可。考虑元件的过载能力，实际选择时应有1.5~2倍的安全裕量。计算公式为： 然后取相应标准系列值。 （2）选择额定电压的原则 选择普通晶闸管额定电压的原则应为管子在所工作的电路中可能承受的最大反向瞬时值 电压的2~3倍，即 然后取相应标准系列值。 1.4.3 典型全控型器件 晶闸管的一种派生器件。 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体