铸造多晶硅要点.ppt

* * 铸造多晶硅 直拉单晶硅与铸造多晶硅的比较 ①优点：直拉单晶硅为圆柱状，其硅片制备的圆形太阳电池不能有效地利用太阳电池组件的有效空间,相对增加了太阳电池组件的成本。如果将直拉单晶硅圆柱切成方柱，制备方形太阳电池，其材料乱费就增加，同样也增加了太阳电池组件的成本。 ②缺点：含有晶界、高密度的位错、微缺陷和相对较高的杂质浓度，其晶体的质量明显低于单晶硅，从而降低了太阳电池的光电转换效率。 浇 铸 法 直熔法 冷却方式不同 直熔法：石英坩埚下移或隔热装置上升，冷却板通水冷却 浇铸法：控制加热区形成温度梯度 直熔法在国际产业界得到广泛应用，浇铸法目前只有德国太阳公司和日本京瓷公司等采用。这两种技术，从本质上来讲没有根本区别，都是用铸造法制备多晶硅，其主要区别是采用一只坩埚还是两只坩埚。 铸造多晶硅的原材料： ①半导体级的高纯多晶硅 ②微电子工业用单晶硅生产中的剩余料,包括质量较差的高纯多晶硅、单晶硅棒的头尾料 ③直拉单晶硅生长完成后剩余在石英坩埚中的埚底料 直熔法制备铸造多晶硅具体工艺流程: ①装料 ②加热(1200-1300℃左右,4-5h) ③化料 (1500 ℃左右,9-11h) ④晶体生长(1420 ℃- 1440 ℃ , 20-22h) ⑤退火 （熔点附近, 2-4h） ⑥冷却（约10h） 铸造多晶硅中的杂质和缺陷 铸造多晶硅中氧的主要来源： ①来自于原材料 ②来自于铸造多晶硅生长过程中的溶解反应 氧和硼形成B-O对，在光照下，导致太阳电池光电转换效率的降低。 铸造多晶硅中碳的主要来源： ①来自于原材料 ②来自于铸造多晶硅的制备过程，由于石墨坩埚或石墨加热器的蒸发 铸造多晶硅中氮的来源： 石英坩埚或石墨坩埚内壁涂覆的Si3N4，溶解后进入铸造多晶硅 氮在晶体硅中存在的形式主要是氮对。这种氮对有两个未配对电子，和相邻的两个硅原子以共价键结合，形成中性的氮对，对晶体硅不提供电子，对晶体硅的载流子浓度没有影响。但氮可以和铸造多晶硅的主要杂质氧作用，形成氮氧复合体，从而影响材料的电学性能。氮氧复合体是一种浅热施主，是一种单电子施主，可以为晶体提供一个电子。 *