第一固体中电子能量结构和状态.ppt

温度高于0K条件下 可得 只有能量在费密能级左右kT范围内的电子，其占有几率较高，能占据较高能级。能量很高的电子占有几率极低 1.0 在温度高于0K条件下 电子平均能量略有提高，费密能略有下降，可以认为费密能不随温度变化 温度变化时，只有一小部分的电子受到温度影响。所以量子自由电子学说正确解释了金属电子比热容较小的原因，其值只有德鲁特理论值的百分之一。 1.3 晶体能带理论基本知识概述 量子自由电子学说比较经典电子理论有巨大的进步，但模型过于简化，解释和预测的实际问题仍遇到不少困难。 镁是二价金属，但导电性比铜差 隧道效应：电子动能小于位垒高度也能穿过 固体的导电性有很大差别 能带理论在量子自由学说的基础上更进一步，考虑了晶体原子的周期势场对电子运动的影响，建立的物理模型更加接近事实，但数学描述也更加复杂。 1.3.1周期势场中的传导电子 为了简化数学描述，能带理论假设： 1、点阵是完整的 2、晶体无穷大，不考虑表面效应 3、不考虑离子热运动 4、不考虑电子间的相互作用 ● ● V ● r ● ● ● ● + + + + + + + a E1 E2 周期势场，对电子的作用——准自由电子 代入薛定谔方程 得到准自由电子的波函数，在势阱内，U=0，电子能级状态不受影响，但是在势阱临界状态，其能级不同于自由电子，出现断层。 P19 图1.10 周期势场的数学描述 禁带起因 周期场的效应，在每一个临界K处，自由电子的能级分裂成两个不同的能级，即能隙。在两个能级之间的能量范围是不允许的，薛定谔方程无类波解。（能带的分界就是禁带） 电子共有化：由于晶体中原子的周期性排列，价电子不再为单个原子所有的现象。共有化的电子可以在不同原子中的相似轨道上转移，可以在整个固体中运动。 能带 量子子力学证明，由于晶体中各原子间的相互影响，原来各原子中能量相近的能级将分裂成一系列和原能级接近的新能级。 ·这些新能级基本上连成一片，形成能带 禁带和允带：允许被电子占据的能带称为允带，允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。原子壳层中的内层允带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允带。被电子占满的允许带称为满带，每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 价带：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 导带：价带以上能量最低的允许带称为导带。 能带理论的基本概念 电子进入导带才能进行迁移，参与导电。因此固体的导电能力就依赖于导带中是否有电子占据，或是导带下的电子是否能进入导带参与导电 满带、空带、价带、导带都是允带 金属镁（12个核外电子）的能带结构 最上面满带和一个空带重叠 1s 2s 2p 3s 镁 (1s2 2s2 2p6 3s2 ) 晶体能带 3s 电子可分布在 3p 能带中 满 带 满带 未满带 3p 能带 重叠 E 某些一价金属， 如:Li , Na, K, Cu, Al, Ag… 最外层导带 某些二价金属， 如:Be, Ca, Mg, Zn, Ba … 满带 导带 E 能带理论应用：导体、半导体、绝缘体导电性的巨大差别 在外电场的作用下，电子容易从低能级跃迁到高能级，形成集体的定向流动(电流)，显出很强的导电能力。 (1)价带半满，没有满带，最外层电子就处于导带 (2)有满带，但满带和空带(或导带)重叠，电子很容易进入导带 导体 E 导带 满带 ΔEg=0.1～2eV 禁带 本征(纯净)半导体 半导体 本征半导体(intrinsic semiconductor)是指纯净的半导体，导电性能介于导体与绝缘体之间。 能带结构 ·半导体的禁带宽度很小(ΔEg= 0.1～2eV)，加热、光照、加电场都能把电子从满带激发到空带中去，同时在满带中形成“空穴”(hole)。 (2)导电机制 · 在电场作用下，电子和空穴均可导电，它们称作本征载流子； ·它们的导电形成半导体的本征导电性。 E 空带 导带 满带 禁带 ΔEg=3～6eV 绝缘体 禁带较宽(相对于半导体)，禁带宽度 ?Eg = 3～6 eV ·一般的热激发、光激发或外加电场不太强时，满带中的电子很难能越过禁带而被激发到空带上去。 ·当外电场非常强时，电子有可能越过禁带跃迁到上面的空带中去形成电流，这时绝缘体就被击穿而变成导体了。 绝缘体 金钢石 氧化锌 氯化银 硫化钙 eV