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论文答辩 ZnO薄膜的制备与应用进展 学 生 ：张顺 导 师 ：周晓明 期 班 ：11材料物理 参考文献 总结 氧化锌薄膜的应用进展 氧化锌薄膜的制备方法 绪论 论文结构 引言： ZnO 是一种宽带隙Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体材料，ZnO 室温下的禁带宽度约为 3.37 eV，激子束缚能高达 60 meV，比其室温下的热离化能26 meV 大很多，非常适合用于制作短波长发光器件及紫外探测器。ZnO 与GaN 具有相同的晶体结构、相近的晶格常数和禁带宽度，相比于GaN，ZnO的熔点更高，热稳定性及化学稳定性更好。ZnO 单晶薄膜可以在低于500℃的生长温度下获得，比 GaN 等其他宽禁带半导体材料的制备温度低很多，因此可以大大减少高温制备所产生的缺陷。另外，ZnO 原材料资源丰富、价格低廉，无毒无污染，是一种绿色环保型材料，具有十分广阔的应用前景。 绪论 绪论 氧化锌结构 ZnO 是一种Ⅱ-Ⅵ族氧化物材料，在自然条件下，其稳定相的晶体结构为六 方纤锌矿 (Wurtzite) 结构，属于六角晶系（hexagonal）6 mm点群。可以视为由沿着c轴方向的Zn-O“原子偶层”堆垛而成，即一层Zn原子与一层O原子紧靠在一起的重复排列结构。其中Zn原子和O原子各自按六方密堆方式排列，每一个Zn原子位于四个相邻的O原子所形成的四面体间隙中，但只占据其中半数的O四面体间隙。 绪论 氧化锌薄膜的基本性质 （1） ZnO 薄膜的光电性质 （2） ZnO 薄膜的压电性质 （3） ZnO 薄膜的气敏性质 （4） ZnO 薄膜的压敏性质 ZnO 薄膜由于量子空间局域作用使得大量电子被束缚在晶界处，表现出很强的界面效应，使其比体材料及其它金属氧化物材料有更高的导电率，透明性和传输率。氧化锌薄膜作为一种优异的光电和压电相结合的电子信息材料，它在压电转换，光电显示以及集成电子器件等方面有广泛的应用。 ZnO薄膜的制备方法及基本原理 制备ZnO 薄膜的方法很多，不同的制备方法，所制备出来的薄膜晶体结构、质量也有很大的差异。现今，ZnO 薄膜常用的制备方法主要有以下几种： 1.磁控溅射法 2.脉冲激光沉积法(PLD) 3.分子束外延法(MBE) 4.化学气相沉积法(CVD) 5.金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 6.喷雾热分解法 7.溶胶－凝胶法 ZnO薄膜的制备方法及基本原理 1. 磁控溅射法 溅射法制备薄膜是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下高速轰击作为阴极的靶材，使靶材中的原子或分子溢出而沉积在基片上形成所需的薄膜。 2 .脉冲激光沉积法(PLD) 脉冲激光沉积方法通过将高功率脉冲激光束聚焦后作用于靶材表面，使靶表面材料气化产生高温高压等离子体向外膨胀并在衬底上沉积形成薄膜。 3 .分子束外延法(MBE) 分子束外延法是在超高真空条件下精确控制原材料的中性分子即分子束的强度，把分子束射到加热的基片上外延生长。 4. 化学气相沉积法(CVD) 化学气相沉积法（CVD）是将含有构成薄膜元素的一种或几种化合物或单质气体，借助气相反应生成薄膜的方法。 5.金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 此方法是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术，载气体把金属有机化合物和其它气源携带到反应室中加热的衬底上方，随着温度的升高在气相和气固界面发生一系列物理和化学变化，最终在衬底表面上生成外延层。 ZnO薄膜的制备方法及基本原理 6 .喷雾热分解法 喷雾热解法（Spray pyrolysis）的主要