第二章能带和载流子浓度重点分析.ppt

* 共价键产生在两个相同元素的原子间，或具有相似外层电子结构的不同元素原子之间，每个原子核拥有每个电子的时间相同。然而这些电子大部分的时间是存在两个原子核间。原子核对电子的吸引力使得两个原子结合在一起。右图是其二维空间结构简图。 （b）四面体结构 2.4.2.闪锌矿共价键结构 砷化镓为四面体闪锌矿结构，其主要结合也是共价键，但在砷化镓中存在微量离子键成分，即Ga＋离子与其四个邻近As－离子 或As－离子与其四个邻近Ga＋离子间的静电吸引力。以电子观来看，这表示每对共价键电子存在于As原子的时间比在Ga原子中稍长。 （a）四面体结构的二维空间结构图 （b）四面体结构 2.4.3 、热激发载流子： 低温时，电子分别被束缚在四面体晶格中，因此无法参与导电。但在高温时，热振动可以打断共价键。当一些键被打断时，所产生的自由电子可以参与电的传导。 而一个自由电子产生时，会在原处产生一个空位。此空位可由邻近的一个电子填满，从而产生空位的移动，并可以被看作是与电子运动方向相反的正电荷，称为空穴(hole)。半导体中可移动的电子与空穴统称为载流子。 * §2.5 能带 2.5.1、孤立原子的能级 2.5.2、原子能级分裂成能带 2.5.3、电子共有化运动 2.5.4、能量-动能图 2.5.5、绝缘体、半导体、导体的能带 2.5.1、孤立原子的能级 对一孤立原子，电子的能级是分离的。例如，孤立氢原子的玻尔能级模型： 其中，m0是自由电子的质量，q是电荷量，ε0是真空介电常数，h是普朗克常数；n是正整数，称为主量子数。 当主量子数高时（n≥2），由于角量子数（l=0，1，2，…，n-1）的关系，能级会分裂。 2.5.2、原子能级分裂成能带 N个原子形成一固体，能级将分裂成N个接近的分离能级。当N很大时，将形成一连续能带。此N个能级可延伸几个电子伏特，视晶体内原子的间距而定。如右图所示，a代表平衡状态下晶体原子的间距。 两个相同原子距离很远时，对同一个主量子数（如n=1），其能级为双重简并，即2个原子具有相同的能量。但当两个 原子接近时，由于两原子间的交互作用，会使得双重简并能级一分为二。 图2.13 简并能级 分裂成一允带 半导体中实际能带的分裂更为复杂 其中10个电子占据深层能级，它们的电子轨道比晶体中的原子间距小得多 其余4个价电子的结合相当微弱，且可以参与化学作用。因为2个内层价电子被完全占据，且与原子核紧密束缚，因此只需考虑外层的价电子。 下图为拥有14个电子的孤立硅原子 图2.14 一孤立硅原子的图示 * 原子能级分裂为能带的示意图 N个原子互相靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，其结果是每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带。分裂的每一个能带都称为允带，允带之间因没有能级称为禁带。 能级的分裂和能带的形成 当原子间距离缩短时，N个硅原子的3s及3p副外层将彼此交互作用及重叠。在平衡状态下的原子间距时，能带将再度分裂，使得每个原子在较低能带（即价带）有4个量子态，在较高能带（即导带）也有4个量子态。 图2.15 孤立原子聚集形成金刚石晶格的能带形成图 下图是N个孤立硅原子形成一硅晶体的能带形成图。 * 绝对零度时，电子占据最低能态，因此价带所有能态将被电子填满，而导带所有能态将没有电子， 导带的底部称为EC，价带的顶部称为EV。 导带底部与价带顶部间的禁止能量间隔(EC-EV)称为禁带宽度Eg，如图所示。价带中的电子跃迁到导带所需要的能量。 * 2.5.3、电子共有化运动 2p 3s 3s 3s 3s 2p 2p 2p 原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再局限在某一个原子上，可以由 一个原子转移到相邻的原子中去，可以在整个晶体中运动。称为电子的共有化运动。 * 1、晶体电子兼有原子运动和共有化运动 原子运动 ?? 电子在原子核周围作局域运动 共有化运动 ?? 电子在不同原子的相同轨道上转移 2、不同轨道电子的共有化运动程度不同（附图如后） 内层电子 弱 外层电子 强 3、 共有化运动是晶体电子运动的特征，也是使晶体原子相互结合形成周期性晶格的原因 4、 电子共有化运动的产生是由于不同原子的相似壳层间的交叠形成的。 * 5、共有化运动的强弱 ?? 决定于 形式（扩展性）（原子的相互作用势）u=-A/rm+B/rn 共有化运动弱 内层电子 “紧束缚近似” 共有化运动强 外层电子（价电子） “近自由电子近似” 2.5.4 能量-动能图 有效质量 半导体晶体，导带中的电子类似自由电子，可在晶体中自由 移动。但因