高介电电子材料Hf02合金的热学性质模拟详解.docVIP

毕业设计（论文） 学 生 姓 名 学 号 专 业 班 级 指 导 教 师 提 交 日 期 材料科学与工程学院摘 要本文首先通过计算机模拟所得到 关键词：表面结构分子动力学模拟 Abstract The paper first received by computer simulation of HfO2 - SiO2 oxide alloy material of local grid structure and HfO2 - SiO2 oxide alloy material of atomic vibration condition. According to the atomic interaction force more micro information about such structures and properties of the atomic system, using the molecular dynamics method, the numerical solution is to analyze the uncertainty of multi-body system, and according to the motion equation of statistical processing results of particle trajectories, Thus statistics a HfO2 - SiO2 at various temperatures melt surface atomic happen movement change, preliminary draw to join different temperature, heating different time, the lattice eight level of atoms, and both azimuth shift mapped relation graph, again through comparison of the curve that system conclusions. KEY WORDS: Diffusion，vibration, Surface structure, Molecular dynamics simulation 目摘 要 1 Abstract 2 目 录 3 第1章 绪论 4 1.1 课题研究背景 4 1.2 课题的研究目的及研究内容 5 1.2.1 研究目的 5 1.2.2 研究内容 5 第2章 原子模拟方法简介 6 2.1 原子模拟方法 6 2.2. 晶体模拟中的基本原理 7 2.3 计算晶格能的方法 10 2.4 动态模拟 14 2.5 计算程序 15 2.6 原子模拟成果举例 15 第3章 分子动力学简介与GULP软件 16 3.1 分子动力学简介 16 3.2 分子动力学（Molecular Dynamics,简称MD）方法 16 3.2.1 引言 16 3.3 分子动力学基础知识 18 3.3.1 基本理论 18 3.3.2 原子间相互作用势 21 3.4 分子动力学在材料科学中的应用 22 3.4.1分子动力学的概述 22 3.4.2分子动力学的适用范围 22 3.4.3分子动力学的应用 23 3.4.4分子动力学的最新进展 25 3.5 Gulp软件在分子动力学模拟中的应用 25 3.6 运用GULP软件进行均方位移(MSD)数据分析 27 第4章 模拟结果分析与讨论 28 4.1.均方位移(MSD)分析 32 4.1.1均方位移MSD 32 4.1.2 A(110)面原子在不同温度下运动方式随时间推移的变化曲线 33 参考文献 37 外文翻译 39 中文翻译 48 致 谢 54 第1章 绪论 1.1 背景随着半导体集成电路制造工艺的不断升级[1,2]，当传统栅介质材料SiO2的厚度减小到纳米尺寸时，电子将因量子隧穿效应直接穿过介质层，导致器件失效。为了解决这一问题，采用高介电常数（High-k）的材料来替代SiO2形成栅介质层是一个重要的技术途径。若欲取代SiO2成为半导体器件中的栅介质，High-k材料必须具有与SiO2/Si系统相似的晶格和电子性质，并要与当前的半导体制造工艺相兼容。 介电值材料常以High-k称呼之，主要功能是用来隔绝闸极的漏电流，High-k意指高介电常数，是用以衡量一种材料能储存多少电荷。High-k材料，当