第11讲_54半导体物理III能带理论在半导体中的应用详解.ppt

第5章 导电物理 5.1概述 * 本章将介绍金属材料和半导体材料（也包括半导体陶瓷）的导电机制，着重从能带结构的角度分析材料的导电行为。本章还介绍了利用材料的导电物理特性制得的一些功能材料，例如p-n结、晶体管等。 本章提要 5.2材料的导电性能 5.4半导体物理 5.3金属电导 5.5 超导物理 2个学时 4个学时 4个学时 第5章 导电物理 2个学时 10个学时 5.4半导体物理 5.4.1半导体与p-n结 5.4.2半导体的物理效应 5.4.3能带理论在半导体中的应用 5.4.4半导体陶瓷的缺陷化学理论基础 2个学时 2个学时 2个学时 4个学时 5.4.3能带理论在半导体中的应用 5.4.3.1半导体的表面能级 5.4.3.2半导体与半导体的接触 5.4.3.3半导体与金属的接触 5.4.3.1半导体的表面能级 能带结构是在无限扩展的3维晶体产生的周期场的前提下得到的。 在材料的表面势场不再与晶体内部的周期性势场相同，所以材料表面的电子能级分布就会发生变化。 图5.29晶体表面的能带结构 图5.30n型半导体的表面能级 判断一个系统是否处于平衡状态的根据是看其费密能级是否相等。两个分立的材料，费密面可以不一样。但如果这两个材料连成一个系统，就会在这两个材料之间发生电荷的移动，最终使费密能级相等。 由于电子从内部向表面迁移，在表面会出现负电荷，而接近表面的内部会因缺少电子而出现带正电荷的空穴。这些空穴的存在，使n型半导体的表面附近出现了一个p型的反转层。 在能带结构图中，电子的能级向上为越来越高，空穴的能级向下为越来越高。如果外来的射线将价带的电子激发到导带，同时在价带留下空穴。这些激发电子就会向半导体内部移动，而空穴则会向半导体表面移动。 图5.31 p型半导体的表面能带结构 5.4.3.2半导体与半导体的接触 p-n结 图5.32表示p-n结在结合瞬间的能级状态 图5.33热平衡状态下的p-n结的能级状态(a) 扩散电位;(b) 杂质浓度;(c) 载流子浓度；(d) 空间电荷 以接触面为界限，n型区域有一个带正电的空间电荷层，在p型区域有一个带负电的空间电荷层。这个空间电荷层产生一个扩散电压。顺着扩散电压的方向，即p型区域为正电位，n型区域为负电位时，载流子容易流动。而逆着扩散电位的方向，即p型区域为负电位，n型区域为正电位时，载流子不容易流动。这就是p-n结整流的原理。 p-n结整流的原理 当太阳光射入到p-n结时，p型区域和n型区域都有可能出现电子激发现象。n型区域的价带电子被激发到导带上后，就停留在n型的导带上，而在n型价带上同时形成的空穴会迁移到能量更稳定的p型的价带上去。p型区域的价电子被激发到导带上后，将迁移到能量更稳定的n型的导带上，而在p型区域价带上同时形成的空穴则停留在该价带上。p-n结不仅能将光子能量转变成电荷能量，更重要的是能够在空间位置上将正负电荷分离开来。如果在p-n结的外部接上回路，这些被分离的正负电荷就可以通过回路相互结合，这就是太阳能电池。 太阳能电池 可以将两个禁带宽度不同的半导体材料组成p-n结。这种由不同材料组成的p-n结又称异质结。此时，禁带较宽的半导体将吸收波长较长的光线，禁带较窄的半导体则吸收波长较短的光线，可以利用的太阳光波长范围更大，从而增加了太阳能利用效率。由于长波光线的穿透能力差一些，所以此时一般都将禁带宽度较大的半导体设计在朝向太阳光一侧，这种半导体又称为电池的窗口材料。 异质结 图5.34异质结的光伏特效应原理 5.4.3.3半导体与金属的接触 典型的金属与半导体接触有两类：一类是整流接触，即制成肖特基势垒二极管，另一类是非整流接触，即欧姆接触。半导体与金属的接触状态与这两种材料的功函数有关。 所谓材料的功函数，是指材料的费密能级与真空能级之间的差值。 *