第1章半导体二极管及其应用07详解.pptVIP

模拟电子技术 分立元件图片 分立元件图片 分立元件图片 分立元件图片 二 、交流电阻（动态电阻） 二极管在其工作状态(I DQ, UDQ)下的电压微变量与电流微变量之比。 rD的几何意义为Q(IDQ, UDQ)点处切线斜率的倒数。 i u 0 Q ?i ?u (b)交流电阻rD 图1.3.3 二极管电阻的几何意义 rD= rj + rs ------ PN结电阻 rs ------ 体电阻+引线接触电阻 更确切地讲，二极管交流电阻 例1.3.1 已知D为Si二极管，流过D的直流电流ID=10mA，交流电压?U=10mV，求流过D的交流电流?I=? 10V D R 0.93K ?U ID 解：二极管交流电阻为 所以交流电流为 三、最大整流电流 IF 四、最大反向工作电压 URM 五、反向电流IR 允许通过的最大正向平均电流。 通常取U(BR)的一半，超过U(BR)容易发生反向击穿。 未击穿时的反向电流。IR越小，单向导电性能越好。 六、最高工作频率 f M 工作频率超过 f M 时，二极管的单向导电性能变坏。 1.3.3 半导体二极管的电路模型 由于二极管的非线性特性，当电路加入二极管时，便成为非线性电路。 实际应用时可根据二极管的应用条件作合理近似，得到相应的等效电路，化为线性电路。 对电子线路进行定量分析时,电路中的实际器件必须用相应的电路模型来等效表示，这称为“建模”。 i u 0 一、理想模型 图1.3.5 理想二极管模型 （a)伏安特性 （b)电路模型 U0 1 （c)符号 U?0 2 i u 0 图1.3.6 恒压降模型 UD(on) （a)伏安特性 U?UD(on) （b)电路模型 2 UD(on) 二、恒压降模型 UUD(on) 1 UD(on) （c)符号 UD(on) 硅: UD(on) = 0.7V 锗: UD(on) = 0.25V 图1.3.7 折线模型 UD(on) i u 0 （a)伏安特性 UUD(on) （b) 电路模型 1 UD(on) rD(on) 三、折线模型 U?UD(on) （c)符号 2 UD(on) rD(on) UD(on) rD(on) 四、小信号模型 图 1.3.8 二极管的交流小信号等效模型 2 UD(on) rD(on) UD(on) rD(on) rD(on) + - △U △I ID UD Q i u 0 △U △I （a）伏安曲线 （b）电路模型 1.在大信号应用中如何选择二极管的等效模型？ 以上四种等效电路模型 (理想模型 、恒压降模型 、折线模型 、小信号模型) 均为二极管近似模型(线性化模型)。对不同电路模型可在不同需求时采用。 思考题： 2.在小信号应用中如何选择二极管的等效模型？ 一、二极管整流电路 图1.3.9 二极管半波整流电路及波形 t ui 0 uo t 0 (b)输入、输出波形关系 1.3.4 二极管基本应用电路 V RL ui uo (a)电路 i u 0 二、二极管限幅电路 图1.3.11 二极管上限幅电路及波形 t ui/V 0 (b) 输入、输出波形关系 t 0 uo/V 2.7 -5 -5 5 (a)电路 E 2V D R ui uo u i ≥ E+UD(ON) D 导通，否则截止。 i u UD(on) 0 2.7 1. 稳压二极管的正向特性、反向特性与普通二极管基本相同，区别仅在于反向击穿时，特性曲线更加陡峭。 一、稳压二极管的特性 1.4.1 稳压二极管 1.4 特殊二极管 图1.4.1 稳压二极管及其特性曲线 (a) 电路符号 i/mA u/V IZmax 0 -UZ IZmin (b) 伏安特性曲线 2. 稳压管在反向击穿后，能通过调节自身电流， 实现稳定电压的功能。 ，电压几乎不变，为-UZ。 即当 二、稳压二极管的主要参数 1. 稳定电压UZ 2. 额定功耗PZ 击穿后流过管子的电流为规定值时，管子两端的电压值。 由管子温升所限定的参数，使用时不允许超过此值。 3. 稳定电流IZ 4. 动态电阻rZ 5. 温度系数α 在击穿状态下，两端电压变化量与其电流变化量的比值。 表示单位温度变化引起稳压值的相对变化量。 一般为几欧姆到几十欧姆（越小越好）。 例 上图为稳压二极管稳压电路，即当Ui和RL 变化时，输出UO保持不变。试问：该稳压电路要能够稳定工作，对限流电阻R有何要求。 图1.4.2 稳压二极管稳压电路 R IL IZ DZ RL Ui Uo 三、稳压二极管稳压电路 当RL不变时： Ui ↑ IR ↑ IR IZ ↑↑ IL ≈C 当Ui不变时： RL ↑ IR ↓ IZ ↑↑ IL ↓↓ 解：当Ui , RL变化时，Ｄz中电流IZ 应满