电力电子复习要点.doc

引言 电力领域的电子技术： 使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，即应用于电力领域的电子技术。 输出 输入 直流 交流 交流 整流 交流电力控制，变频、变相 直流 直流斩波 逆变 电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。  电力电子器件 基本概念和器件分类 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 其他分类： 电流驱动型：通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。 电压驱动型：仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。  器件 （1）功率二极管 额定电流：在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 ：是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 换算关系：正弦半波电流的有效值I和平均值之比： （2）晶闸管 正常触发导通条件： 关断条件 ：使流过SCR的电流降低至维持电流以下。 其他触发晶闸管导通的方法： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率过高 结温较高 光触发 晶闸管参数： 通态平均电流：使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。 维持电流：使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 擎住电流：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常约为的倍。 浪涌电流：指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 ：断态电压临界上升率 ：通态电流临界上升率 晶闸管派生器件 双向晶闸管 逆导晶闸管 光控晶闸管  （3）GTO GTO 工作原理： GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受 能力强 。 （4）GTR 一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，迅速增大，出现雪崩击穿。 只要不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，如不能有效的限制电流，突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 安全工作区：最高电压、集电极最大电流、最大耗散功率、二次击穿临界线限定。  （5）功率 MOSFET 通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。原因是电流越大，发热越大，通态电阻就加大，从而限制电流的加大，有利于均流。 功率MOSFET特点： MOSFET的开关速度和充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在之间，工作频率可达以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 （6）IGBT 一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 擎住效应或自锁效应 IGBT的特点： 开关速度高，开关损耗小。在电压以上时，开关损耗只有GTR的，与电力 MOSFET相当； 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力； 通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域； 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似； 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。 功率集成和功率模块：了解 两个主要问题： 高低压电路之间的绝缘问题 温升和散热的处理。 其他新型器件： 了解 门极驱动电路 电气隔离：光隔离一般采用光耦合器，磁隔离元件通常是脉冲变压器，当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用高频调制和解调的方法。 对晶闸管门极触发脉冲的要求： 脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。 触发脉冲应有足够的幅度。 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。 有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 电力电子器件器件的保护（1）电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压 外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见 （2）过流 （3）缓冲（吸收）电路 功能： 抑制器件的内因过电压、、过电流和，减小器件的开关损耗。 电力电子器件器件的串联和并联使用 当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。多个器件并联来承担较大的电流。 方法：考虑均压（静态，动态）和均流。 整流电路 单相 （1） 单相半波可控整流电路