模拟电子复习课件.pptVIP

2. 输出特性 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 例2: 解: 解: 解: 复合管特点 1、复合管的类型与第一个晶体管（即T1）相同，而与后接晶体管无关。 第一个晶体管是PNP型，则等效的复合管也是PNP型。 2、复合管的电流放大倍数近似为两管电流放大系数乘积。 * * 2. 在杂质半导体中少子的数量与 有关. （a. 掺杂浓度、b.温度） 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多） 1. 在杂质半导体中多子的数量与 有关. （a. 掺杂浓度、b.温度） 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ， N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） 5. 是构成半导体器件的基础，是因为它具有 6. 少子的多少影响反向电流的大小，温度影响少子的多少，因而温度越高，反向电流 作业 2. 在杂质半导体中少子的数量与 b 有关. （a. 掺杂浓度、b.温度） 3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多） 1. 在杂质半导体中多子的数量与 a 有关. （a. 掺杂浓度、b.温度） 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 b N 型半导体中的电流主要是 a 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） 5. PN结 是构成半导体器件的基础，是因为它具有单向导电性 6. 少子的多少影响反向电流的大小，温度影响少子的多少，因而温度越高，反向电流越大 作业 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V 例2: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例3： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有