华南师范大学2015秋电子电路在线作业(大专)_new重点分析.doc

第1题 (2.0) 分 图示电路为（ ）电路 A、甲乙类OCL B、甲乙类OTL C、乙类OCL D、甲类 第2题 (2.0) 分 在放大电路的耦合方式中，（ ）低频特性最好。 A、变压器耦合 B、直接耦合 C、阻容耦合 D、光电耦合 第3题 (2.0) 分 当PN结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变宽。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不确定 第4题 (2.0) 分 在本征半导体中掺入3价元素就成为（ ）型半导体。 A、P型半导体 B、N型半导体 C、PN结 D、纯净半导体 第5题 (2.0) 分 测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V、12V、0V, 则三极管的三个电极分别是（ ）。 A、(E、B、C) B、(C、B、E) C、(B、C、E) D、(B、E、C) 第6题 (2.0) 分 ?PNP型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为 （ ） ? A、UC UE UB B、UB UC UE C、UC UB UE D、UB UE UC 第7题 (2.0) 分 当PN结外加反向电压时，内外电场方向（ ）。 A、相反 B、相同 C、不确定 第8题 (2.0) 分 欲将方波转换成三角波，应选用（ ）。 A、微分运算电路 B、积分运算电路 C、差分输入运算电路 D、乘法电路 第9题 (2.0) 分 负反馈使放大电路增益下降，非线性失真(? ?)。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不确定 第10题 (2.0) 分 在桥式整流电路中，若整流桥中有一个二极管开路，则输出（ ） A、输出电压只有半周波形 B、输出电压仍为全波波形 C、输出电压无波形，且变压器或整流管可能烧坏 D、对电路无实质性影响 第11题 (2.0) 分 在开关型稳压电路中，调整管工作在（ ）状态。 A、放大 B、饱和 C、截止 D、开关 第12题 (2.0) 分 OTL功率放大电路如图示，D1、D2的作用是（ ）。 A、充当T3的集电极负载 B、消除交越失真 C、增大输出功率 D、减少三极管的穿透电流 第13题 (2.0) 分 测某放大电路中三极管各极电位分别是0?V、-6V、0.2V，则三极管的三个电极分别是（??? ）。 A、(E、C、B) B、(C、B、E) C、(B、C、E) D、(B、E、C) 第14题 (2.0) 分 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于(??? ) A、放大状态 B、截止状态 C、饱和状态 D、击穿状态 第15题 (2.0) 分 当PN结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变窄。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不确定 第16题 (2.0) 分 半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A、外电场 B、内电场 C、掺杂 D、热激发 第17题 (2.0) 分 测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三极管的三个电极分别是（ ）。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（B、E、C） 第18题 (2.0) 分 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V，11.3V，0V，则该管属于（ ） A、硅PNP型 B、硅NPN型 C、锗PNP型 D、锗NPN型 第19题 (2.0) 分 图示电路是（ ）电路。 A、微分电路 B、积分电路 C、指数电路 D、对数电路 第20题 (2.0) 分 在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻R?b的数值，容易出现（ ）失真。 A、饱和 B、截止 C、低频 D、交越 第21题 (2.0) 分 整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是（ ）。 A、温度的变化 B、负载电流的变化 C、电网电压的波动 D、电网电压的波动和负载电流的变化两个方面 第22题 (2.0) 分 集成运算放大器采用耦合方式是（ ） A、变压器耦合 B、直接耦合 C、阻容耦合 D、光电耦合 第23题 (2.0) 分 稳压二极管在正常稳压工作时是处于（ ）工作区间。 A、正向导通 B、反向击穿 C、反向截止 D、正向死区 第24题 (2.0) 分 OCL功率放大电路如图示，T4、R1、R2的作用是（ ） A、充当T1的集电极负载 B、消除交越失真 C、增大输出功率 D、减少三极管的穿透电流 第25题 (2.0) 分 影响放大器高频特性的原因是（ ）。 A、极间耦合电容 B、发射极旁路电容 C、三极管结电容 D、温度 第26题 (2.0) 分 锗二极管的死区电压是（ ）。 A、0.1~0.2V B、0.5V C、0.7V D、0.6V 第27题 (2.0) 分 在杂质半导体中，多数载流子的浓