6.2热电阻式传感器教案.ppt

6.2 热电阻式传感器 6.2.1 金属热电阻 6.2.2 半导体热敏电阻 6.2.3 热电阻式传感器的应用 利用导体或半导体材料的电阻率随温度变化的特性制成的传感器叫做热电阻式传感器。 应用：对温度和与温度有关的参量进行检测。 测温范围：中、低温区域（-200 ℃ ~650℃）。低温方面也应用于1K~3K的温度测量，高温也有用于1000 ℃~1300 ℃ 测温元件可分为金属热电阻和半导体热敏电阻两大类。 6.2.1 金属热电阻 热电阻＝电阻体（最主要部分）＋绝缘套管＋接线盒 作为热电阻的材料要求： 电阻温度系数要大，以提高热电阻的灵敏度； 电阻率尽可能大，以便减小电阻体尺寸； 热容量要小，以便提高热电阻的响应速度； 在测量范围内，应具有稳定的物理和化学性能； 电阻与温度的关系最好接近于线性； 应有良好的可加工性，且价格便宜。 使用最广泛的热电阻材料是铂和铜。 1. 常用热电阻 ⑴ 铂热电阻 主要作为标准电阻温度计，广泛应用于温度基准、标准的传递。 ⑵ 铜热电阻 测量精度要求不高且温度较低的场合，测量范围一般为―50～150℃。 ⑴ 铂热电阻 目前最好材料 长时间稳定的复现性可达10-4 K ，是目前测温复现性最好的一种温度计。 铂电阻分度表 铂容易提纯，其物理、化学性能在高温和氧化性介质中很稳定。铂电阻的输出 — 输入特性接近线性，且测量精度高，所以它能用作工业测温元件和作为温度标准。 按国际温标IPTS-68规定，在-259.34℃~630.73℃温域内，以铂电阻温度计作基准器。 ⑵ 铜热电阻 应 用：测量精度要求不高且温度较低的场合 测量范围：―50～150℃ 优 点： 温度范围内线性关系好，灵敏度比铂电阻高，容易提纯、加工，价格便宜，复制性能好。 缺 点： 易于氧化，一般只用于150℃以下的低温测量和没有水分及无侵蚀性介质的温度测量。 与铂相比，铜的电阻率低，所以铜电阻的体积较大。热惯性较大，稳定性较差，在100℃以上时容易氧化，因此只能用于低温及没有浸蚀性的介质中。 铜热电阻的分度表 分度号：Cu50 2. 热电阻的结构 核级电阻温度传感器 用于核电站反应堆-回路 的温度传感器 精??? 度：PT100，B级，4线制，符合IEC751-1983包括1986版补遗和1995版补遗， 允差范围±（0.30+0.005[t]）℃. 绝缘电阻：测试电压100VDC，施加5秒绝缘电阻大于100MΩ。 漂??? 移：一年内在正常工作条件下，不大于0.3℃。 最大允许电流：小于10mA。 自 热 值：不大于3℃。 测量范围：0~350℃ 工作压力：15.2MPa 正常累积辐照：250KGy 安全壳内事故器件累积辐照：600KGy 3.热电阻测温线路 两线制 这种引线方式简单、费用低，但是引线电阻以及引线电阻的变化会带来附加误差。 两线制适于引线不长、测温精度要求较低的场合。 工业用热电阻安装在生产现场，而其指示或记录仪表安装在控制室，其间的引线很长，如果仅用两根导线接在热电阻两端，导线本身的阻值必然和热电阻的阻值串联在一起，造成测量误差。 如果每根导线的阻值是r，测量结构总必然含有2r的绝对误差。 这种误差因为导线阻值r随环境温度变化而很难修正，注定两线制不宜在工业热电阻上应用。 6.2.2 半导体热敏电阻 利用半导体的电阻值随温度显著变化的特性制成。由金属氧化物和化合物按不同的配方比例烧结。 优 点： (1) 热敏电阻的温度系数比金属大（4～9倍） (2) 电阻率大，体积小，热惯性小，适于测量点温、表面温度及快速变化的温度。 (3) 结构简单、机械性能好。 缺点：线性度较差，复现性和互换性较差。 热敏电阻分类： 正温度系数(PTC) 负温度系数(NTC) 临界温度系数(CTR) PTC热敏电阻－正温度系数 钛酸钡掺合稀土元素烧结而成，当温度超过某一数值时，其电阻值朝正的方向快速变化。 用途：彩电消磁，各种电器设备的过热保护，发热源的定温控制，限流元件。 CTR热敏电阻－负温度系数 以三氧化二钒与钡、硅等氧化物，在磷、硅氧化物的弱还原气氛中混合烧结而成，在某个温度上电阻急剧变化，具有开关特性。 用途：温度开关。 NTC热敏电阻－很高的负电阻温度系数 主要由Mn、Co、Ni、Fe、Cu等过渡金属氧化物混合烧结而成，特别适用于-100℃~300 ℃之间测温。 应用：点温、表面温度、温差、温场等测量