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电子信息材料 -03——压电、热释电与铁电材料 材料科学与工程学院：马永昌 第三章 压电、热释电与铁电材料 目录 3.1 压电物理基础知识 3.2 石英晶体 3.3 热释电材料与器件 3.4 铌酸锂和钽酸锂晶体 3.5 铁电陶瓷 Problems: 1)Fatigue Atomic-Scale Structure of Ferroelectric Thin Films 1.Materials: SrBi2Ta2O9 (SBT)Thin Films with (001) orientation 2.Substrates: Pt/TiO2/SiO2/Si (100) 3.Growing Method : Pulsed Laser Deposition (PLD) Examining Devices 1. Transverse Electron Microscopy (TEM) 2. High-Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM) 3. Dielectric Response (frequency,temperature) 4. Scanning Electron Microscopy (SEM) 5. Atomic Force Microscopy (AFM) 6. XRD (X-Ray Diffraction) 6.Possible Ferroelectric Chips --a disruptive technology 电介质各类极化建立的时间尺度 1．电子位移极化 10-16-10-14 s 2．离子位移极化 10-13-10-12 s 3．偶极子转向极化 10-8-10-2 s 4．热离子位移极化 10-2 s 5．空间电荷极化 10-1-103 s 6．自发极化 电畴随电场的转向时间长 压电效应示意图 BaTiO3的晶格结构 TiO6八面体 铁电性的实质——自发极化 石英晶体 铁电材料——标志是电滞回线 BaTiO3的90度和180度铁电畴 石英晶格的Z平面投影 石英Z平面投影的电荷分布计算 BaTiO3的晶格结构和温度的关系 BaTiO3的晶格结构和温度的关系 铌酸锂和钽酸锂晶体 晶格结构 锆钛酸铅 类系 三元系压电陶瓷 类系 The End 小半径大电荷离子的作用 Zr4+、Nb5+、Ti4+ TiO2具有大介电常数的起因 加压力之前 正负电荷中心重合 加压力之后 正负电荷中心分开 结构相变到四方相以后 晶格的参数改变， Ti4+离子沿着c轴 方向发生位移， 正负电荷中心偏移。 注意：晶格结构是四方相 就会有正负电荷 中心偏移，这是自发的。 晶体空间3维结构 Si-O四面体 J. Wang et al. Science-v299-p1719 (2003), BiFeO3 thin film 注意晶胞的那个点的 何种电荷过剩 H. F. Kay and P. Vousden, Philos. Mag. 40, 1019 （1949） M.K.Lee et al. APL-v77-p3547（2000） 温度上升/下降？ Ising Model Suppose we have a lattice, with Ld lattice sites and connections between them. (e.g. a square lattice). On each lattice site, is a single spin variable: si = ?1. The energy is: where h is the parameter proportional to the magnetic field k is the coupling between nearest neighbors (i,j) k0 ferromagnetic k0 antiferromagnetic. 微观理论的进一步发展: 软模理论： 位移型系统 晶格振动光学横模 有序无序系统 赝自旋波 (粒子在双势阱中的运动) 铁电相变的统一理论 振动－电子理论 极化方式：不同晶格类型中局部电场与外加电场之间的关系有几种不同的类型，但仍是争论激烈至尽未解决的问题。 “莫索蒂灾难” （1）克劳修斯-莫索蒂-洛伦兹模型 （2）昂萨格模型 “空间电荷” space charge 《电介质材料及介电性能》P107 束缚电荷