2014-2015学年第一学期《模拟电子》(本)复习题_new讲解.docVIP

2014-2015学年第一学期《模拟电子》(本)复习题_new讲解.doc

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2014-2015学年第一学期 《模拟电子技术》期末考核参考复习题 适用于2013级(本)变化到,集电极电流从变化到,则交流电流放大系数( 99 ) 5、如图:,它是( NPN )(填NPN还是PNP),其电流放大系数β=( 49) 场效应管从结构上可分为(MOS )和( 结型 );根据导电沟道的不同又可分为( P沟道)和( N沟道);对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为(耗尽型 )和( 增强型 ) 7、场效应管的转移特性曲线如图:,画出该场效应管的符号:( MOS,N沟道,耗尽型 ) 8、共集电极放大电路的特点是输出电压与输入电压( 同 )相,电压放大倍数近似为( 1 ),输入电阻( 大 ),输出电阻 ( 小) 9、差分放大电路对( 差模 )输入信号具有良好的放大作用,对( 共模 )输入信号具有很强的抑制作用。 10、在单管共射放大电路中,如果静态工作点设置过高,则容易出现( 饱和)失真。(填截止或饱和) 11、在晶体管乙类互补对称功率放大电路中,采用双电源供电的电路称为( OCL)电路,采用单电源供电的电路称为( OTL )电路。 12、两级放大电路中,第一级的电压增益为40dB,第二级的电压放大倍数为10倍,则两级总电压的放大倍数为(1000 ) 13、反馈放大电路中,若反馈信号取自输出电压,则为(电压 )反馈。在输入端,若反馈信号与输入信号以电压的形式进行比较,则为( 串联 )反馈, 14、负反馈虽然使放大器增益( 减小 ),但能使增益的稳定性( 提高 ),通频带( 展宽 ),放大器的非线性失真( 减小 ) 15、放大电路中,为提高输入电阻则引入( 串联 )负反馈 16、在深度负反馈条件下,其闭环放大倍数(1/F) 17、负反馈放大电路中,开环电压放大倍数,发馈系数,则发馈深度为(10 ),闭环放大倍数为(9 ) 18、反相比例运算电路的主要特点是输入电阻( 较小 ),运放共模输入信号为(0 );同相比例运算电路的主要特点是输入电阻( 很大 ),运放共模输入信号为(较大 ) 19、理想运放工作在线性状态时,两输入端电压近似相等,称为(虚短 ) 20、如图:,该电路的名字是( 反向比例)运算电路,其电压增益为( -20 ) 21、RC桥式振荡电路输出电压为正弦波时,其反馈系数( 1/3 ),放大电路的电压放大倍数( 3 );若RC串并联网络中的电阻均为R,电容均为C,则振荡频率( 1/2πRC) 22、用晶体管构成的三点式LC振荡电路中,谐振回路由(2 )种性质的电抗元件组成,在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须( 同)性质,不与发射极相接的电抗元件必须与之( 异 )性质,方能满足振荡的相位条件。 23、电压比较器输出只有(高电平 )和( 低电平)两种状态,由集成运放构成的电压比较器中,运算放大器一般工作在(非线性 )状态。 24、迟滞比较器引入了( 正)反馈,它有两个门限电压。 25、桥式整流电容滤波电路的交流输入电压有效值为U2,则该输出电压=(1.2U2 );当负载电阻开路时,=( 1.4U2 );当滤波电容开路时,=( 0.9U2) 二、判断题(在题后括号内打√或×) 1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以带负电。( ) 2.PN结在反向电压作用下发生的雪崩击穿是可以恢复的,而齐纳击穿则不可恢复。 ( ) 3.在光敏二极管、发光二极管、激光二极管、光电耦合器等光电子器件中,只有发光二极管是在正向电压下工作的。 ( ) 4.肖特基二极管是由金属与半导体接触而形成的,其主要特点是只依靠一种载流子工作,可以运用于高频电路。 ( ) 5.晶体管结构的特点是发射区载流子浓度很大,基区很薄,而集电区的面积较大。 ( ) 6.晶体管具有电流放大作用,说明它能够将小电流变成大电流。 ( ) 7.晶体管的输出特性曲线可分成截止区、放大区、饱和区,其中饱和区又称恒流区。 ( ) 8.在晶体管放大电路的三种组态中,只有共集电极电路的输出电压与输入电压是同相的。 ( ) 9.画交流通路的原则是:①电容开路,②直流电源短路。

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