第4章 放大器基础-1-5.ppt

接 RE 的共发放大器 其中 rb?e ? ib ii io RC RB vs + - RL + - vo RS + - vi rce ib RE (微变等效电路) RC RB vs + - RL + - vo RS + - vi RE (交流通路) 共发电路射极接电阻 RE 后： 由于RE的负反馈作用，使 Ri 增大、Ro 增大，放大器 更接近理想的互导放大器。 由于 RE 的负反馈作用，不仅增益稳定性提高，而且 还便于集成化。 当 RL ?? 时， 　　　　　　　　　　　　　此时，Avt 近似等于两电阻的比值，与三极管参数 ? 无关。 存在问题： 交流工作时： RC?? Av ? ? 但集成困难； 直流工作时： RC?? VCEQ ? ? 易饱和失真。 采用有源负载的共发放大器 解决方法：用恒流源(有源负载)取代电阻 RC 。 恒流源特点：直流电阻小，交流电阻大。 RL vo vi VCC R1 R2 RE T1 T2 RL vo vi VCC T1 ICQ 其中 等效为 共源放大器 4.3.4　共源、共栅和共漏放大器的性能 　　场效应管电路性能特点、分析方法与三极管放大器相似。不同之处仅在于，FET 或场效晶体管的 ig = 0。 gmvgx RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi rds g s Ri Ro RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi 接 R?S 的共源放大器 不变 经推导 则 增大 减小 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S gmvgs RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi rds g s Ri Ro R?S R?o 共栅放大器 vs + - RL + - vo R?S RS RD gmvgs ii io + - vi g s Ri? i?i 因为 所以 而 vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - 共漏放大器 经推导 RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S g R?S RG vs + - RL + vo RS + - vi rds - gmvgs s FET 三种组态电路性能比较 小 大 小 大 大 ? 1 大 大 大 共源 共栅 共漏 Ri Ro Av RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S 4.3.5　集成 MOS 放大器 　　集成 MOS 放大器与分立 MOS 放大器电路结构相同，只是为了提高集成度，集成 MOS 放大器中的负载电阻采用了以不同方法实现的有源电阻。 集成 MOS 放大器类型： NMOS 放大器 CMOS 放大器 放大管 NEMOS 负载管 NEMOS 放大管 NEMOS 负载管 NDMOS E/EMOS 放大器 E/DMOS 放大器 放大管、负载管均为 E 型 但沟道互补 E/EMOS 放大器 VDD + - vo + vi T2 T1 - 要求两管工作在饱和区， 由于 gm2vgs2 = -gm2vo ， 则受控源 gm2vgs2 等效为电阻：1/gm2 因 gmu2vus2 = -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2 等效为电阻：1/gmu2 即　　　 　 ， 交流通路 + - vo + vi T2 T1 - g2 s2 g1 s1 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2vgs2 gmu2vus2 微变等效电路 多级放大器可拆分成单级电路进行分析： 将后级输入电阻作为前级的负载电阻。 多级放大器 RL