COMS放大器设计.docVIP

目 录 一、设计思路 1 二、CMOS放大器设计 2 2.1、任务与要求 2 2.2、设计要求 2 2.3、对CMOS放大器的研究与计算 2 三、电路设计及仿真 6 3.1、直流工作点的分析 7 3.2、交流信号分析 8 3.3、瞬态分析 10 3.4、小信号特性分析 12 3.5、压摆率大信号分析 13 四、课程设计心得 14 五、参 考 文 献 15 一、设计思路 日常生活中放大器的用途随处可见，但关于用MOS管的放大器还很少，综合所学习过的知识去设计一个CMOS放大器，本设计采用GPDK180工艺，实现增益大于40dB（即放大100倍以上），相位裕度大于60o，功耗小于1mW，同时用1.8V的电压源供电。 设计MOS管所采用的是PMOS和NMOS的组合管构成放大器，因为同样的体积、同样的掺杂浓度下，PMOS管的电阻会比NMOS管的电阻要大，所以在这两种MOS管组成的电路中，采用NMOS作为放大管，而PMOS作为偏置负载，两种组合管串联起来，从组合管的中间引出放大的信号，由于放大倍数还不够大，本设计采用NMOS管作为放大管，这只是理想中器件的选择，接下来就是参数的计算以及对电路设计的模拟和仿真。由于采用GPDK180工艺、电源电压1.8V的基础上设计，所以就要在资料库中查找并选好MOS管的参数，对于MOS管最重要的是W/L的比值，根据放大倍数以及对功耗的要求可求出W/L比，根据电源电压可求出驱动电路的电压值。得到的宽长比可与资料里面的标准对比，取一定的长度就可以得出器件的宽度，根据所选定的器件去查找相应的MOS管栅极的氧化层参数，应注意的是在GPDK180工艺中，宽度最大不超过50nm，长度最大要180nm以上。为了得到合适的放大倍数以及较低的功耗，PMOS管和NMOS管连接起来，PMOS管的上端接电源Vdd下端接NMOS管，下端的NMOS管接地，在两个MOS管的中间取出放大信号，给上端的PMOS管的栅极加一个适合的偏置，在NMOS管的栅极输入，根据以上思路制作本次设计 二、CMOS放大器设计 2.1、任务与要求： 设计CMOS放大器，要求如下： 1．采用GPDK180工艺。 2．增益大于40dB, 相位裕度大于60o。 3．功耗小于10mW。 4．电源电压为1.8V。 2.2、设计要求： 1）、根据设计指标要求，选取、确定适合的电路结构，并进行计算分析； 2）、电路的仿真与分析，重点进行直流工作点、交流AC分析、瞬态Trans分析、建立时间小信号特性和压摆率大信号分析，能熟练掌握各种分析的参数设置方法； 3）、电路性能的优化与器件参数调试，要求达到预定的技术指标。 4)、整理仿真数据与曲线图表，撰写设计报告。 5）、按照课程设计要求，采用GPDK180工艺设计，COMS放大器的模型如下： 图1 CMOS放大电路模型 2.3、对CMOS放大器的研究与计算 设计要求：采用GPDK180工艺；放大增益大于40dB，即100倍以上；相位裕度大于 ，功耗小于10mW;电源电压为1.8V。 1）、 由公式 ，可得 可取 2）、采用GPDK工艺，用一个PMOS管与一个NMOS管接连做放大器 ①设定NMOS、PMOS的制作长度 ，可知 于是有 放大电路的交流小信号模型如下： 图2 放大器的小信号模型 ② :令Vin=0，即 3）、 4）、 5）、根据 ,在软件库中查到相应的NMOS和PMOS的计算参数： NMOS：L=0.36—0.5um， w=1.2—3um 氧化层厚度： PMOS：L=0.36—0.5um， w=1.2—3um 氧化层厚度： 6）、 7）、 8）、电路放大时，必须保证NMOS和PMOS同时工作在饱和区， 9）、设输出电压的最大摆幅为2V，NMOS工作在饱和区，则应满足的条件： NMOS管处在饱和区的同时PMOS也工作在饱和区，则 10）、 11）、 三、电路设计及仿真 电路的各个参数计算出来，本设计采用VMware Workstation虚拟机进行仿真，VMware Workstation是一个运行在Linux系统下版级和系统级的EDA软件，打开虚拟机后，进入虚拟机的启动电源界面，然后启动虚拟机的电源，点击进入启动本次设计的软件，双击在界面的上方的“新建终端”动作图标，在终端输入cd work/gpdk180回车后，输入icbf指令就到了icfb文件下，在界面对话框中选择file/new/library，弹出对话框new liabrary，在名字框中填入文件夹名z