第六章 技术磁化理论.ppt

4、小结： 1)、单畴颗粒在三种各向异性作用下的Hc公式 a、磁晶各向异性作用下 单畴颗粒 θ0 HC 单轴晶体 900 0 1350 1800 取向分散的多颗粒材料 立方晶体 K10 1800 K10 1800 K10 取向分散的多颗粒材料 b、形状各向异性作用下 单畴颗粒 θ0 Hc ab 1800 (Nb - Na)Ms 椭球 ab 混乱分布 0.479(Nb - Na)Ms ab 1800 Ms / 2 c、应力各向异性作用下 单畴颗粒 θ0 Hc 1800 混乱分布 2)、可见，要提高Hc，必须设法提高至少一种各向异性 3)、Ms高的材料，其由形状各向异性决定的Hc最大，如Fe； K1大的材料，其由磁晶各向异性决定的Hc最大，如Co； λs大的材料，其由应力各向异性决定的Hc最大，如Ni； 所以，为获得高Hc，可利用其不同的特点。 4)、由前面的讨论可知： 四、缺陷对Hc的影响： 通过它的形状不同（体缺陷、面缺陷、线缺陷、点缺陷），直接控制Hc 通过缺陷本身的交换积分常数A、K1、 λs及M0与基体不同来影响Hc。 晶格的不完整性（缺陷）对磁性的影响有长、短程两种： 长程：影响Fσ、Fd的变化（位错、非磁性参杂、磁矩与基体不同的脱溶物等）。 短程：使Eex、Fk改变，能阻碍畴壁运动（晶粒边界、堆垛层错、反向边界、点缺陷等）。 所以，缺陷所在之处容易形成反磁化核或钉扎畴壁的中心。 若缺陷作为形核点，则缺陷数目越多反核越易形成，Hc越低。 若缺陷作为畴壁钉扎点，则缺陷数目越多，畴壁钉扎越严重，畴移就越困难，Hc就越高。 即缺陷对Hc的影响有两重性，既可作为形核点使Hc下降，也可作为钉扎点使Hc升高。一般而言，尺寸大的缺陷对形核有利，反之对钉扎有利。 具体材料的反磁化机制是以形核或钉扎为主，可以根据热退磁状态后的磁化曲线与磁滞回线的形状判断。 (1)、以形核为主的磁化曲线上式很快， μi 较高，用不大的外场即能磁化到饱和，其Hc 通常随H的上升而增加。 H M H Hc (2)、以钉扎为主的磁化曲线上升很缓慢，HHc之前， μ都很低，在H=Hc处突然升高，一般Hc与H无关。 H M H Hc 一、四种关键的磁化状态下，多晶体的自发磁化强度在空间的分布 1、磁中性状态（O） 磁中性状态：指磁材的合磁通密度与磁场强度在大于磁畴尺寸的区域内都等于零的一种状态，如图O点。 此时，多晶体内的 自发磁化方向在空间是 均匀分布的，样品在 任一方向有： M＝0，H＝0，B＝0。 2、饱和磁化状态（A） 多晶体内的自发磁 化方向集中于外场方向。 第七节 剩磁 H M A B C O D C’ 3、在Hc作用的磁化状态（C） 虽有M＝0，但多晶体内的自发磁化方向在空间分布不均匀。在外场方向（即MHc方向）附近有一分布，在远离外场的对称方向也有一分布 4、剩磁状态 虽然样品内部磁场（H外与Hd矢量和，即Hi＝He＋Hd，对环形闭合磁路样品而言Hd＝0）为零，但M≠0（M＝Mr），故多晶样品内的自发磁化方向，在空间分布不均匀。 单轴晶系：自发磁化均匀分布于空间的半个球面内（如图B） 立方晶系：自发磁化非均匀分布在离He夹角为550 的球面内。 二、Mr的计算 (不考虑材料内部不均匀性对Mr的影响) 1、单晶材料 He 550 2、多晶材料 知道了剩磁状态下多晶体的自发磁化方向在空间的分布后，计算Mr有两种方法： A、以H为固定轴，自发磁化方向在空间变化(按照确定的分布)，然后求各种磁化强度在H方向的投影可得Mr。 B、以Ms方向为固定轴，把外场方向看成空间变化（按确定得分布)，然后求Ms在各外场方向得投影可得Mr。 1)、单轴晶系的多晶体（以方法A求） H＝Hs时，Ms集中于H方向，变到剩磁状态时，各晶粒的自发磁化方向就回到各自的易轴方向（最接近H的易轴方向），由于这些易轴均匀分布于空间半球内，故剩磁状态下多晶体的Ms方向只能均匀分布于空间最靠近H的半球内。 讨论（结论） 多晶体 Mr 的计算结果： 单轴： Mr ＝ 0.5 Ms 立方：K10时, Mr = 0.832 Ms ; K10 时， Mr ＝0.866 Ms 易轴