电感耦合方式的射频前端.要点分析.pptVIP

由次级回路的阻抗Z22表达式得知，在负载调制时Z22下降，引起次级回路对初级回路的反射阻抗Zf1上升。若次级回路调整于谐振状态，其反射阻抗为0，则表现为反射电阻Rf1增加。它的变化体现为电感线圈L1两端的电压变化，即等效电路中端电压VAB的变化。 在负载调制时，由于Rf1增大，所以VAB增大，即电感线圈L1两端的电压增大。由于Xf1=0，所以电感线圈两端的变化表现为幅度调制。 电容负载调制的特性如下。 （1）在电阻负载调制中，读写器和电子标签在工作频率下都处于谐振状态；而在电容负载调制中，由于接入了电容Cmod ，电子标签回路失谐，又由于读写器 与电子标签的耦合作用，导致读写器也失谐。 （2）开关S的通断控制电容Cmod按数据流的时钟接通和断开，使电子标签的谐振频率在两个频率之间转换。 （3）通过定性分析可以知道，电容Cmod的接入使电子标签电感线圈上的电压下降。 （4）由于电子标签电感线圈上的电压下降，使读写器电感线圈上的电压上升。 （5）电容负载调制的波形变化，与电阻负载调制的波形变化相似，但此时读写器电感线圈上电压不仅发生振幅的变化，也发生相位的变化，相位变化应尽量减小。 * 2 电感耦合方式的射频前端 2.4.3 传输线变压器耦合功率放大器 具有两种方式：一种按传输线方式来工作，另一种是按照变压器方式工作。 * 2 电感耦合方式的射频前端 1:1传输线变压器应用 * 2 电感耦合方式的射频前端 1:4传输线变压器 信号端呈现的输入阻抗 传输线的特性阻抗 * 2 电感耦合方式的射频前端 v1和v2为晶体管VT1和VT2的集电极电压，很显然在输入开关信号激励下，两管集电极电压为方波，且电压反相。两管集电极电流为正弦半波，各电流的方向如箭头所指。 * 2 电感耦合方式的射频前端 2.4.4 E类功率放大器 单管工作于开关状态，谐波成分主要为二次谐波。它选取适当的负载网络参数，以使它的瞬态响应最佳。 当开关导通（或断开）的瞬间，只有当器件的电压（或电流）将为零后，才能导通（或断开）。 * 2 电感耦合方式的射频前端 E类功率放大器 E类功率放大器基本电路 * 2 电感耦合方式的射频前端 E类功率放大器 等效电路图 * * 2 电感耦合方式的射频前端 设计一个E类功率放大器，工作频率为1 MHz，输出到负载RL=50 Ω上的功率Po=5 W，电源电压VCC=24 V。 * 2 电感耦合方式的射频前端 2.4.5 电磁兼容 电子产品的电磁兼容性（EMC）包含两方面：一是电磁干扰（EMI），二是抗电磁干扰的能力（EMS）。 在13.56 MHz频率，FCC的15.225节的规定为： 载波频率范围 13.56 MHz±7 kHz； 基波频率的场强 10 mV/m，测量距离为30 m； 谐波功率 基波功率的-50.45 dB * 2 电感耦合方式的射频前端 具有EMC滤波电路的13.56 MHz阅读器的E类功率放大器电路 * 2 电感耦合方式的射频前端 2.4.6 电感线圈的设计 经验计算式 薄长方导体的电感量 单层螺管形线圈 * 2 电感耦合方式的射频前端 * 2 电感耦合方式的射频前端 应答器（射频卡）常用的电感线圈的结构和外形 * 2 电感耦合方式的射频前端 2.3.2 应答器谐振回路端电压的计算 应答器天线电路的等效电路 * 2 电感耦合方式的射频前端 应答器谐振回路端电压的计算 设阅读器应能具有的作用距离为38cm，阅读器线圈的半径为0.1m，课求得 N1i1=0.43（安?匝） 即：N1=1时电流为430mA。 * 2.3.3 应答器直流电源电压的产生 应答器直流电源电压的产生 * 2 电感耦合方式的射频前端 整流与滤波 采用MOS管的全波整流电路 * 2 电感耦合方式的射频前端 2.3.4 负载调制 应答器向阅读器的信息传送时采用 。 1.耦合电路模型 * 2 电感耦合方式的射频前端 2.互感耦合回路的等效阻抗关系 由上式根据电路关系可以画出初级和次级回路的等效电路如下图。 * 2 电感耦合方式的射频前端 3. 电阻负载调制 开关S用于控制负载调制电阻Rmod的接入与否，开关S的通断由二进制数据编码信号控制。 图2.21 原理电路图 * 2 电感耦合方式的射频前端 电阻负载调制 二进制数据编码信号用于控制开关S。当二进制数据编码信号为“1”时，设开关S闭合，则此时应答器负载电阻为RL和Rmod并联；而二进制数据编码信号为“0”时，开关S断开，应答器负载电阻为RL。 应答器的负载电阻值有两个对应值，即RL（S断开时）和RL与Rmod的并联值RL//Rmod（S闭合时）。 * 2 电感耦合方式的射频前端 图2.21的等效电路 次级回路等效电路中的