制程简介和浸润式微影术 - 南台科技大学知识分享平台.pptVIP

半導體微影製程發展走向 教授:蔣富成 班級:碩研電子一甲 姓名:林彥宏 學號:M9830111 Outline 曝光原理 數值孔徑(NA) 光學系統所能夠分辨出的Critical Dimension (CD)。 光的波長(λ)成正比，而與數值孔徑(NA)(如圖二)成反比，亦即 聚焦深度(DOF) 不論使用波長較短的光源，或數值孔徑較大的透鏡，都會使得聚焦深度(DOF)變小。 不幸的是，通常聚焦深度越大，越適合量產，所以如何妥善搭配光源與透鏡， 使CD縮小。 製程技術演進-曝光波長 製程技術演進-90nm製程方法 以ArF(λ=193nm)雷射為曝光光源，以及應用各種提高解析度的方法: 偏軸照明OAI 相轉移光罩PSM 光學鄰近修正技術OPC K1 = 0.4，NA = 0.93代入 可算得：CD = 83nm ＜ 90nm 製程技術演進? 65、45nm製程 90nm已到量產製程的極限，需要找尋波長更小的當曝光光源或是找別種技術來克服，目前克服的方法有兩種: 方法1、以F2準分子雷射（λ=157nm）來 進行替換。 方法2、 ArF(λ=193nm)光波長浸潤式微影術。 F2 (λ=157nm)光波長所受阻礙 1.光束路徑必須通以高純度的氮氣，因此氧氣與水氣的含量必須維持在很少量的ppm。 2.必須研發新的雷射源，目前氟(F2)雷射的技術仍在發展中，而光束污染的問題也更加重要。 F2 (λ=157nm)光波長所受阻礙 3.在光學材料上必須有重大的改變，熔融氧化矽已經不適用於透鏡材料上，取而代之的將是氟化鈣(CaF2)。 4. 微影技術設備商無法以氟化鈣琢磨出合適的透鏡，不是缺陷太多，就是像差太大，根本無法在晶圓上清楚成像。 浸潤式微影術簡介-概念 西元1840年，物理學家阿米西曾在義大利佛羅倫斯的實驗室，把一滴液體加在標本上方，藉此改善顯微鏡的成像品質 (如圖六)。 浸潤式微影術簡介-原理 折射率： 空氣(1)＜水(1.44) 波長減小1.44倍 黑線： 左邊折射角較右邊大，可知液體中DOF較大。 紅線： 液體中全反射角度較大，因而NA較大。 浸潤式微影術簡介-應用 最近又被全球半導體廠所注意，是因為台積電資深處長林本堅先生在一個半導體研討會所提出的構想。 製程技術演進? 65、45nm製程 以ArF(λ=193nm)雷射為曝光光源，以及應用各種提高解析度的方法: 偏軸照明OAI 相轉移光罩PSM 光學鄰近修正技術OPC 浸潤式微影術，光的波長將變為193nm/1.44 =134nm 故65nm、45nm製程，是可以達成的。 半導體製程未來發展 超紫外光微影(EUV) 該技術目前瞄準22奈米半間距、16奈米半間距(half-pitch)製程節點。 必須克服複雜度的雙重圖形(double-patterning)系列技術。 產業界現在得面臨為晶片生產帶來額外成本。 半導體製程未來發展 電晶體的研發走進16奈米世代後，現有的微影技術已不再適用，需要全新的技術。 國家奈米元件實驗室研發的「奈米噴印成像技術」，將微影製程縮減到只剩一個步驟，線寬更小，又不需光罩、光阻，極具發展潛力。 目前競爭中的技術包括極紫外光與電子束，但兩者都有著難以解決的問題，勝負仍未分曉。 參考資料 /ART_8800598760_480202_NT_e65f94ab.HTM /bloggermodule/blog_viewblog.do?id=1542035 .tw/magazine/report/ct/scientific/1821/126737280002780033007.htm The end.Thanks for your attention. * * 曝光原理 數值孔徑(NA)與聚焦深度(DOF)關係 製程技術演進 F2 (λ=157nm)光波長所受阻礙 浸潤式微影術簡介 半導體製程未來發展 曝光原理，簡單來說，是將光源透過有圖案的光罩，將光罩上的圖案完整地傳送到晶片表面所塗抹的感光材料（光阻）上，再進行去除或保留光阻的步驟，以完成圖案轉移。微影技術的解析度限定了半導體元件的最小線寬，而解析度主要由光阻性質與曝光設備及方法來決定(如圖一)。 圖一、曝光系統 圖二、數值孔徑 圖三、聚焦深度 圖四：波長 微影技術的曝光波長從過去的G-line（436nm），I-line（365nm），一直發展到現在的深紫外光（248nm、193nm）。 90nm(CD) 圖五：Critical Dimension 圖六：一滴液體加在標本上方 圖七：原理圖 圖七：提出的構想 圖八：40nm製程 *