辐射探测器与检测技术要点解析.ppt

著名的辐射探测器 1927年，Wilson，发明云室； 1948年，Blackett，发展云室用于辐射研究； 1950年，Powell，发展核乳胶； 1960年，Glaser，发明气泡室； 1968年，Alvarez，发展气泡室； 1992年，Charpak，发明并发展多丝正比室。 世界上第一个点接触型晶体管 半导体探测器 Semiconductor detector 半导体探测器是60年代以后迅速发展起来的一种核辐射探测器，其探测介质是半导体材料。随着半导体材料和低噪声电子学的发展以及各种应用的要求，先后研制出了P-N结型探测器、锂漂移型探测器、高纯锗探测器、化合物半导体探测器以及位置灵敏探测器，内放大半导体探测器等特殊类型半导体探测器。 半导体探测器 Semiconductor detector 半导体探测器探测带电粒子的基本原理与气体电离室的十分相似。但由于半导体的密度比气体的大得多，对射线的阻止本领也就比气体的大得多。在半导体中产生一个电子—空穴对所需的平均电离能ω约为3eV，比在气体中的平均电离能(约30eV)小一个数量级。 若能量为E0的核辐射粒子，其能量全部损失在半导体探测器灵敏体积内，所产生的电子—空穴对数目为： N=Eo/W 一、半导体探测器的结构和简单原理 半导体探测器加一外电压，电压的方向是使半导体探测器得到反向偏置，故称为加反向偏压。从以后各节的讨论将知道，半导体探测器多为P-N结结构。加反向电压即在结的P边相对于N边为负电压，这时结两边的电位差增加，只有少数载流子在电场作用下越过结，而少数载流子浓度很低，所以反向电流很小。由于探测器加反向偏压，探测器灵敏区内部形成电场区。在没有核辐射射入时，由于绝缘电阻很大，漏电流很小。当带电粒子或其他核辐射人射到探测介质后，它们损失能量，介质内就产生电子—空穴对，在外电场作用下，电子和空穴分别向两电极作漂移运动，从而在电极上感应出电荷，电荷在电容C上积累而形成电压脉冲。 一、半导体探测器的结构和简单原理 要实现这一过程，必须同时满足以下条件： ①要求用作探测器的固体材料具有高的电阻率，才能保证加上较高的电场强度，而漏电流很小； ②探测器材料必须有足够长的载流子漂移长度，以便载流子能通过灵敏区厚度d到达电极而不发生复合或俘获。 目前，满足上述要求的主要方法有；①在硅或锗单晶中形成PN结，在PN结上加反向偏压形成探测器的灵敏区，在该灵敏区内载流子浓度很小，电阻率极大而漏电流很小； ②在P型和N型的锗或硅单晶之间通过补偿工艺使形成准本征区，其电阻率很高，可作为探测器的灵敏区； ③使用高纯度半导体材料作为探测器材料。 一、半导体探测器的结构和简单原理 一、半导体探测器的结构和简单原理 半导体探测器 Semiconductor detector 浓度差使载流子发生扩散运动 一、半导体探测器的结构和简单原理 半导体探测器 Semiconductor detector 内电场形成 PN结 一、半导体探测器的结构和简单原理 PN结型半导体探测器的工作原理可叙述如下：由于PN结区载流子很少，电阻率很高，当探测器加上反向电压以后，电压几乎完全加在结区，在结区形成一个足够强的电场，但几乎没有电流流过。入射粒子射入结区后，通过与半导体的相互作用，损失能量产生电子—空穴对。在外加电场作用下，电子和空穴分别向两极漂移，于是在输出回路中形成信号。当电场足够强时，电子和空穴在结区的复合和俘获可以忽略。这时，输出信号的幅度与带电粒子在结区消耗的能量成正比。如果入射粒子的能量全部消耗在结区，则输出脉冲幅度与入射粒子能量成正比。 二、半导体探测器的主要性能 1.反向电流 热激发产生的体电流 来自结区的扩散电流 半导体表面的漏电流 半导体探测器 Semiconductor detector 2.能量分辨率 统计涨落决定分辨率的极限 探测器和电子学仪器的噪声 3.本征探测效率 带电粒子几乎是100％ 常用的面垒型探测器是金硅面垒型半导体探测器。金硅面垒探测器是利用N型硅单晶作基片，表面经过酸处理后，暴露在空气中，表面会形成一层氧化层，然后在真空中灵敏面上镀一薄层金膜(约10μm)，靠近金膜的氧化层具有P型硅的特性，并在与基片交界面附近形成PN结。在基片的背面镀有镍或铝作欧姆接触引线，接电源的正极。欧姆接触电极即是两种符号的电荷(电子和空穴)都可以自由流过的不整流电极。金膜与铜外壳接触，接电源的负极。镀金面作为待测核辐射的入射面，称为入射窗。 三、PN结型半导体探测器 1. 面垒型 半导体探测器 Semiconductor detector 扩散型、离子注入型 面垒型探测器在制造工艺上不涉及高温，探测器材料能保持原来的良好性能，噪声低，能量线性好，能量分辨率高，