电子功能与元器件热敏电阻.要点解析.pptx

3-1 热敏电阻;主要内容; 热敏电阻是开发早、种类多、发展较成熟的敏感元器件．热敏电阻由半导体陶瓷材料组成, 原理是温度引起电阻变化．若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为： 　　σ=q（nμn+pμp） 　　因为n、p、μn、μp都是依赖温度T的函数，所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理．;①灵敏度较高，其电阻温度系数要比金属大10- 100倍以上，能检测出10-6℃的 温度变化； ②工作温度范围宽，常温器件适用于-55-315℃， 高温器件适用温度高于315℃（目前最高可达 到2000℃），低温器件适用于-273℃-55℃； ③体积小，能够测量其他温度计无法测量的空隙、 腔体及生物体内血管的温度； ④使用方便，电阻值可在0.1-100kΩ间任意选择； ⑤易加工成复杂的形状，可大批量生产； ⑥稳定性好、过载能力强。;热敏电阻的分类;PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;;;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;3-1-1 PTC热敏电阻;d;NTC热敏电阻;这些氧化物的导电机制不同于半导体Si、Ge中，Ge、Si中是空穴在满带中的运动。而是在能级之间的跳跃，因此可以把这种电导叫跳跃式电导或称为跳跃电导模型。 其阻温特性：由这些氧化物晶体的导电机制决定;一、几种过渡金属氧化物的基本性质;跳跃式导电;;Ni1-xO 阳离子缺位非定比化合物;;3-1-2 NTC热敏电阻;;;这个Li1+Ni3+离子对所对应的能级和Ni2+能级非常靠近，是一个受主能级，当受主Li1+Ni3+受到激发时它就吸收附近的Ni2+离子的一个电子形成Li1+Ni2+而把这个Ni2+离子变成Ni3+离子，由于Ni是易变价元素，这种变换可以继续下去，使Ni3+在整个晶体的氧八面位置中迁移，相当于空穴在晶体中运动。 ;当受到电场的定向作用时就产生电导，其传导电流的方式为： Ni3++Ni2+ → Ni2++Ni3+ 这种通过电子变换的导电方式和在Si、Ge等元素半导体中的导电方式并不一样，电导并不是由于载流子（空穴）在满带中运动的结果，而是在能带之间的跳跃，因此可以把这种电导叫跳跃式电导或称为跳跃电导模型。;;;在正尖晶石中，A间隙全部为A离子（通常为二价金属离子）所占据，B间隙全部为B离子(通常为三价金属离子)所占据，其通式可写成A2+B3+2O2-4 在反尖晶石中，A间隙全部为B离子所占据，B间隙由一半A离子和B离子所占据，其通式为B3+（A2+ B3+ ）O2-4 。 而半反尖晶石A间隙只有部分被B离子所占据，其通式为 （A2+1-x B3+ x）（B3+2-x A2+x ） O2-4 。 ;金属离子的价数，除上述二、三价外，还可能有二、四价，一、三价、一、四价，和一、六价等，但只要阳离子的总价数等于8以满足电中性条件便可以了。至于形成哪一类结构，何种阳离子占据什么位置，目前仍无法给出确切的解释。 ;三、NTC热敏半导体陶瓷的导电机理;3-1-2 NTC热敏电阻; ; 四、引入杂质对电导机制的影响;;3-1-2 NTC热敏电阻;;3-1-2 NTC热敏电阻;;1．海望焦克模型及其局限性。 P70 p73 2.丹尼尔斯模型要点及其解释的实验事实。p73 3.势垒高度表达式 。p71 4.如何理解铁电补偿在解释PTC效应中的作用机理。p72 5.NTC导电机制与结构关系。p76 6.在MnO中加??NiO经高温处理，可形成半反或全反尖晶石结构，写出相应的结构式和导电 过程。p77