电子材料复习纲要.要点解析.ppt

迈斯纳效应 迈斯纳效应说明：超导体内的磁感应强度不仅是恒量，而且这一恒量值永远是零。 零电阻和完全抗磁性是超导态两个独立的基本性质。 所谓的零电阻（理想导电性）是针对直流而言的。在交流电的情况下，超导体不再具有完全导电性而出现交流损耗。 BCS理论 BCS理论在解释超导电性方面获得了很大成功。如可以解释同位素效应、迈斯纳效应，在极限条件下还可推导出Pippard方程和Ginzburg-Landau方程。 局限性：属于弱耦合理论；不适应于第二类超导体。 低温超导材料 常压下，超导临界温度Tc最高的单质元素是Nb。 按照磁场中的磁化行为，可将超导体分为两类： ① 第一类超导材料 ② 第二类超导材料 高温超导材料发展现状 新的高Tc材料：目前最高Tc值的超导材料为高压下164K的HgBaCaCuO体系。 超导材料应用基础研究： 高温超导薄膜及其应用： 高温超导体全部是由多种元素组成的氧化物。 高温超导材料的结构特征 钙钛矿型结构： 一般而言，高温超导体都具有层状的钙钛矿型结构。 ABO3型钙钛矿结构具有下述特点： ① 组分可通过部分替代而在很宽的范围内变化。 ② 或多或少的存在着氧缺位和A晶位阳离子的缺位。 第五章：半导体材料 ① 半导体材料的一般性能 ② 锗、硅半导体材料 ③ 太阳能电池 ④ 化合物半导体材料 ⑤ 半导体材料的应用 半导体材料的一般性能 半导体材料的能带特征： 价带、导带、空带、禁带 半导体中电子填充能带遵循的基本原理： 泡利不相容原理（ Pauli’s exclusion principle ）； 能量最小原理 半导体中的电子与空穴 ~ 载流子 半导体材料的一般性能 半导体载流子的主要来源：本征激发和杂质电离 本征半导体：完全纯净、缺陷极少的半导体，其载流子由热激活产生。 杂质半导体： N型半导体 --- 施主杂质半导体； P 型半导体 --- 受主杂质半导体。 P-N结：基本电学特性是单向导电性。 半导体材料的一般性能 半导体的光电性质： 半导体中，电子吸收光子能量后的跃迁形式主要有哪些？ 本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、杂质吸收、晶格振动吸收。 光伏效应及其实际应用 半导体的磁学性质：霍尔效应 半导体的光伏效应 当用适当波长的光照射非均匀掺杂的半导体（如P-N结）时，由于光激发和半导体内建电场的作用，将在半导体内部产生电势，这种现象称为光生伏特效应，最主要的实际应用是光电池或太阳能电池。 半导体的磁学性质 如果在一块半导体某一方向上加以电场，并在其垂直方向上加有磁场，则载流子除了受电场力作用外，还要受磁场力的作用。在两种外力的作用下，载流子的运动将发生变化，结果在半导体的两端产生一横向电势差，其方向同时垂直 于电流和磁场。这种现 象称为霍尔效应。 硅材料的制备与加工 多晶硅制备工艺： 常用的单晶硅制备方法： 1）水平区域法；2）提拉法；3）浮区法 原料的化学处理 提纯 还原或合成 第六章：电介质材料 ① 电容器介质材料 ② 压电材料 ③ 热释电材料与铁电材料 ④ 玻璃电介质材料 ⑤ 有机电介质材料 电容器介质材料 电容器在电子电路中的作用： 具有滤波、耦合和电源的功能。 电解电容器的比率电容量是各种电容器中最高的。 电解电容器：通常是在铝、钽、铌、钛等金属的表面采用阳极氧化法生成一薄层氧化物作为电介质，以电解质（包括电解液、二氧化锰、有机半导体、凝胶电解质 ）作为阴极而构成的电容器。 压电材料 压电效应：对某些电介质晶体施加应力时，随着形变的产生，晶体某两个相对的表面产生数量相等、符合相反的电荷，而当外力撤销形变消失后，又重新回到不带电的状态，这种现象称为正压电效应 。反之，在某些电介质晶体的极化方向上施加电场，如果产生与电场强度成正比的应变或机械应力，这种现象称为逆压电效应。 压电材料 具有压电效应的物质（电介质）称为压电体。 压电效应产生的条件： 必须是电介质晶体；晶体结构没有对称中心；其结构必须有带正负电荷的质点。 有机电介质材料 聚四氟乙烯： 结构式 -(-CF2-CF2-)-n 绝缘材料，耐热性好，抗老化性能好。 不溶于任何溶剂中，化学稳定性好。 聚氯乙烯（PVC）：结构式 -(-CHCl-CH2-)-n 热塑性树脂，广泛用于电线和电缆的绝缘护套。 第七章：光电子材料 ① 固体激光材料 ② 光导纤维 ③ 半导体发光材料 ④ 透明导电薄膜材料 ⑤ 光显示材料 固体激光材料 激光 - LASER： Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation 激光的主要特点：