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图例 虚拟器件（dummy Element） 虚拟器件（dummy Element） 共质心版图 虚拟器件（dummy Element） 上机安排 时间： 第10周周四（5月7日）晚上7:00~10:00 第11周周四（5月14日）晚上7:00~10:00 地点： 科B451、453 1、写出如图题3-1所示的CMOS电路对应的逻辑函数。 2．写出如图题3-2所示CMOS电路的逻辑表达式。 * 1.描述特性的两个量 电流漏和电流源特性 rout -输出电阻，衡量电流源/漏的“水平度” （不依靠电压） VMIN-最小电压，漏源间电压必须大于VMIN电流源/漏正常工作。 2.电流漏 电流漏和电流源特性 3.电流源 期望 rout↑，VMIN↓ * 例： KN’=110uA/V2, VT=0.7V, λ=0.04V-1 and VDD=5V ID?100?A rds=250k? 确保NMOS工作于饱和区, vout VGS1-VT 由上图可知，简单电流漏/源的输出电流受Vout影响，输出电压VOUT变化范围较小。 电流漏和电流源 Vmin is too large – desire Vmin to approach zero, at least approach VCE(sat) Slope too high -- desire the characteristic to be flat implying very large output resistance 1.如果两个管的栅-源电压相等，并且匹配、工作在饱和区，那么，电流与管子的W/L比率相关。 栅-源匹配原理 2.如果两个管子的漏极电流相等，并且匹配、工作在饱和区， 那么，栅-源电压与管子的W/L比率相关。 注意：理想情况必须 vDS1= vDS2 栅-源匹配原理 电流镜基本上只是一个电流放大器。理想特性的电流放大器是： 输出电流正比于输入电流 iout = Ai iin 输入电阻为零 输出电阻无穷大 另外，VMIN不仅适用于输出，而且还适用于输入 VMIN(in) 是输入电阻不够小的vin的范围 VMIN(out) 是输出电阻不够大的vout的范围 一、 电流镜的特点 如图: 电流镜 假设 二、 简单的MOS电流镜 那么 如果晶体管匹配 如果 那么 因此，误差来源于： （1） （2）M1和M2不匹配 电流镜 三、 影响电流比的因素 1. 沟道调制参数（ ?）的影响 2. 器件失配的影响 3. 器件宽长比误差的影响 电流镜 如果管子匹配且宽长比一致，那么 1. 沟道调制参数（? ）的影响 由此可见，电流镜应该有相同的漏源电压和大的输出电阻（ ?小） 电流比误差与漏压差的关系： 电流镜 假设 但 定义 那么 则有 假设上式中跟在1后面的变量都很小，那么 只保留一阶乘积项，得到 2. 器件失配的影响 电流镜 2. 器件失配的影响 电流镜 例：假设 L1=L2, W1=5±0.05, W2=20±0.05, 求比例误差。 3. 器件宽长比误差的影响 电流镜 这时，W1=5±0.05, W2=4(5±0.05) 版图技术解决器件宽长比误差的影响 电流镜 1.什么是理想的基准电流和电压？ 一、基准电流和电压的特点 理想的基准电流和电压与电源和温度无关。 基准电流和电压比一般源中所要求的更精确和更稳定。 2.基准电路的要求： 独立于电源 独立于温度 独立于变化过程 独立于噪声和其它干扰 3.基准电压对电源的灵敏度 基准电流和电压 二、简单偏置/基准电路 1.分压式基准电压 基准电流和电压 2.双极型电阻基准电压 基准电流和电压 3.MOS电阻基准电压 基准电流和电压 4.击穿二极管基准电压 简单基准 存在电源依赖性 基准电流和电压 1.自举电流源——阈值基准电路 二、自举偏置/基准电路 基准电流和电压 2.基于发射极电压的基准电路 自举基准独立于电源，但存在温度依赖。 基准电流和电压 –差分对、电流镜…… –误差 ?集成电阻电容，20％－30％ ?合适匹配后，15％－0.1% –工艺导致不匹配 ?不统一的扩散 ?不统一的注入 ?CMP后的不完美平面 –片上变化导致不匹配 ?温度梯度 ?电压变化 模拟电路版图设计 ——匹配和对称 中心思想： 使所有的东西尽量理想，使要匹配的器件被相同的因素以相同的方式影响 20 19 2 2.05 20 20.5 2 1.9 16.4% 电流成比例关系的MOS管，应使电流方向一致，版图中