尖端放电和光电现象.docVIP

尖端放电 　　导体尖端的电荷特别密集，尖端附近的电场特别强，就会发生尖端放电 　　强电场作用下，物体尖锐部分发生的一种放电现象称为尖端放电,他属于一种电晕放电。他的原理是物体尖锐处曲率大，电力线密集，因而电势梯度大，致使其附近部分气体被击穿而发生放电。如果物体尖端在暗处或放电特别强烈，这时往往可以看到它周围有浅蓝色的光晕 . 　　通常情况下，空气是不导电的，但是如果电场特别强，空气分子中的正负电荷受到方向相反的强电场力，有可能被“撕”开，这个现象叫做空气的电离。由于电离后的空气中有了可以自由移动的电荷，空气就可以导电了，空气电离后产生的负电荷就是负离子，失去原子的电荷带正电，叫做正离子。 　　（对孤立导体）导体表面有电荷堆积时，电荷密度与导体表面的形状有关。在凹的部位电荷密度接近零，在平缓的部位小，在尖的部位最大。当电荷密度达到一定的量值后，电荷产生的电场会很大，以至于把空气击穿（电离），空气中的与导体带电相反的离子会与导体的电荷中和，出现放电火花，并能听到放电声。 　　如高压线有轮廓的地方，就会出现尖端放电。由于接到电源上，它一边放电，一边不停的提供放电需要的电荷，这种放电会持续下去。 　　避雷针是另外一个好的例子。高大建筑物上安装避雷针，当带电云层靠近建筑物时，建筑物会感应上与云层相反的电荷，这些电荷会聚集到避雷针的尖端，达到一定的值后便开始放电，这样不停的将建筑物上的电荷中和掉，永远达不到会使建筑物遭到损坏的强烈放电所需要的电荷。雷电的实质是2个带电体间的强烈的放电，在放电的过程中有巨大的能量放出。建筑物的另外一端与大地相连，与云层相同的电荷就流入大地。显然，要是避雷针起作用，必须保证尖端的尖锐和接地通路的良好，一个接地通路损坏的避雷针将使建筑物遭受更大的损失 光电现象 　　电磁辐射（可见光、紫外线、X 射线或γ射线）投射到物体（气、液、固）上被物体吸收，使这物体的电性质发生变化的现象。它主要包括光电效应、光电离现象、光电导现象、光生伏打效应、俄歇效应、康普顿效应、光核效应。 　　光电效应[1] 在光辐照下，物体内部的电子获得足够的能量越过表面从物体内逸出，这种现象叫做光电发射效应，逸出的电子称为光电子。每个光量子具有能量hv，其中h是普朗克常数，v是光的频率。光子进入物体后与电子作用，如果电子是自由的，则吸收光子能量的电子，必须克服物体表面势垒的阻挡才能逸出物体表面，电子从金属表面逸出时所须作的功称为材料的逸出功或功函数,用符号W 来表示。因此,电子逸出表面时的最大动能是 。　(1) 　　如果固体中的电子是束缚的，则光子能量还必须大于原子的电离能。 　　纯金属的逸出功都比较高，它不但与材料有关，还与金属表面状态有关。掺杂与表面化学处理是降低材料逸出功的一些具体办法。绝缘体与半导体中电子的能量分布不同于金属的，逸出功也和金属的不同。结果，人们发现不同材料，尽管逸出功相同，其光电产额（光电子数与入射光子数之比）和入射光子的能量关系并不一样。低逸出功与高光电产额是一切近代光电材料所必须具备的指标，吸收光子与发射出光电子之间的时间延迟小于0.1ns。 　　光电离现象 当光辐照气体（或液体）时，如果光子能量大于分子（或原子）的电离能，则中性气体（或液体）的分子（或原子）被电离成电子与正离子，这一过程称为光电离现象。 　　光电导现象 材料在光的辐照下，其电导发生变化的现象。在光辐照下，材料的电导通常是增大的，但也有少数相反情况。导体的电导很大，在光的辐照下，电导不会发生明显的变化。会发生明显变化的材料是半导体，因此，光电导现象是半导体的主要特征之一。 　　当半导体受到光辐照时，自由载流子（自由电子与空穴）增多、电导变大,直到电流-电压曲线达到饱和为止。光电导中电子的基本过程取决于材料的能带结构以及材料中的杂质等因素。自由载流子的寿命是决定光灵敏度（即每一吸收光子所产生的电导变化）最重要的因素之一。寿命与载流子复合过程的性质有关。半导体的光吸收特性是另一个决定光灵敏度的重要因素。当光子能量大于半导体的禁带能隙时，每个光子可以产生一个自由电荷对，即一个自由电子与一个自由空穴。如果光子能量比禁带能隙大很多倍，吸收一个光子可以产生许多自由电荷对。 　　光生伏打效应 是指物体由于吸收光子而产生电动势的现象。当两种不同材料所形成的结受到光辐照时,结上产生电动势。它的过程先是材料吸收光子的能量，产生数量相等的正、负电荷，随后这些电荷分别迁移到结的两侧，形成偶电层。光生伏打效应虽然不是瞬时产生的，但其响应时间是相当短的。当前，光生伏打效应主要是应用在半导体的PN结上，把辐射能转换成电能。大量研究集中在太阳能的转换效率上。理论预期的效率为24％。实验上已达14％。 　　俄歇效应 当X射线或γ射线辐照到物体上时,由于光子能量很高，能