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§3-3 锗的富集与提纯 ? 锗在地壳中含量约为2×10-4% ? 分布极为分散，且不以单质状态存在 ? Ge原子价有二价和四价两种， GeO ：黑色、易挥发； GeO2：稳定、白色 §3-3-1 锗的资源与富集 1.锗资源 锗资源总的可分为三大类： (1)煤及烟灰中。煤中锗含量约为10-3 % ～10-2%，在烟灰中可达10-2 % ～10-1%左右。 (2)与金属硫化物共存，如在ZnS、CuS等矿物中常含有10-2 % ～10-1%的锗。 3)锗矿石中均含有较丰富的锗。 如：硫银锗矿(4Ag2S·GeS)含锗可达6.93%； 锗石(7CuS·FeS·GeS2)含锗6～10%。 * 第三章 硅和锗的化学制备 §3-1 硅和锗的物理化学性质 Si——银白色 Ge——灰色 二者熔体密度比固体密度大，故熔化后会体积收缩（锗收缩5.5%，而硅大约收缩10%） 1、Si和Ge的物理性质 Si、Ge——元素周期表中第Ⅳ族元素 cm· ℃-1 5.75×10-6 2.33×10-6 α 线热胀系数 J/g· ℃ 0.3140 0.6950 CP 比热 W/cm· ℃ 0.60 1.57 χ 热导率 ℃ 2700 2600 Tb 沸点 ℃ 937 1417 Tm 熔点 g/cm3 5.323 2.329 d 密度 nm 0.5657 0.5431 a 晶格常数 金刚石型 金刚石型 晶体结构 个/cm3 4.42×1022 5.22×1022 原子密度 72.60 28.08 W 原子量 32 14 Z 原子序数 单 位 锗 硅 符 号 性 质 表1-1 硅锗的主要物理性质 单 位 锗 硅 符 号 性 质 J/mol 34750 39565 Q 熔化潜热 N/cm2 1.9×107 E 杨氏摸量 cm-3 2.4×1013 1.5×1010 ni 本征载流子密度 Ω·cm 46.0 2.3×105 pi 本征电阻率 cm2/s 48.7 12.3 DP 空穴扩散系数 cm2/s 100.0 34.6 Dn 电子扩散系数 cm2/V·s 1900 480 μP 空穴迁移率 cm2/V·s 3900 1350 μn 电子迁移率 eV 0.67 1.106 (300 K) eV 0.75 1.153 Eg 禁带宽度（0 K） 16.3 11.7 ε 介电常数 % +5.5 +9.0 dv 冷凝时膨胀 结论: 1、硅的禁带宽度比锗大，电阻率比锗大四个数量级，Si 可用做高压器件，且工作温度比锗器件高； 2、锗的迁移率比硅大，可做低压大电流和高频器件。 室温下，硅、锗的化学性质比较稳定，但可与强酸、强碱作用。 高温下，硅、锗的化学活性大，可与氧、卤素、碳……等作用，生成相应的化合物 2、Si和Ge的化学性质 自然界中，Si主要以SiO2和硅酸盐的形式存在。 SiO2性质：坚硬、脆、难熔的无色固体。 高温（1600℃ ） 熔化成黏稠液体 冷却 玻璃态 （i）硅、锗与卤素或卤化氢的反应方程式 卤元素 ?卤化物具有强烈的水解性，空气中吸水而冒烟，随分子中Si（Ge）—H键的增多稳定性减弱。 32.12 135.5 169.9 分子量 0.68(-111.8℃) 1.318(31.5℃) 1.49(57.6℃) 密度(液体)g/cm3 5.5(31.5℃) 6.3(57.6℃) 密度(气体)g/dm3 -185 -128 -70 熔点℃ -111.8 31.5 57.6 沸点℃ 0.29(2.0℃) 0.33(57.6℃) 粘度(×10-3)Pa·s 0 2.64×10-30 0 偶极矩C·m 87.4 20.7 16.5 化合物中硅含量% 空气中自然爆炸 28 发火点℃ -39.30 -404.09 -572.79 标准生成自由能(298K)kJ/mol -61.92 -442.25 -644.34 标准生成热(298K)kJ/mol 无色气体 无色透明液体 无色透明液体 物理状态(298K) 0.132(31.5℃) 0.103(20℃) 表面张力N·s-1 12.39(-111.8℃) 26.61(31.5℃) 29.12(57.6℃) 蒸发热kJ/mol SiH4 SiHCl3 SiCl4 性质 表1-2 SiCl4、SiHCl3、SiH4主要物理化学特性 （ii）Si、Ge高温下与H2O、O2反应方程式 Si平面工艺中，常用此反应制备SiO2掩